研究目的
研究基于非晶掺铟氧化镓薄膜的高性能日盲光电探测器的制备与性能，重点关注其响应度、响应速度以及准齐纳隧穿效应。
研究成果
由于不均匀的铟分布引起的准齐纳隧穿效应，a-IGO日盲光电探测器展现出高响应度和快速响应速度。室温制备工艺有利于柔性器件，而拓宽的探测范围对多种应用场景有益。
研究不足
该研究受限于室温制备工艺，这可能影响薄膜的结晶度和均匀性。铟分布不均可能导致器件性能出现波动。
1：实验设计与方法选择：
采用射频磁控溅射技术在室温下于c面蓝宝石衬底上生长a-IGO薄膜，并通过沉积金电极制备MSM光电探测器。
2：样品选择与数据来源：
利用X射线衍射仪、原子力显微镜、能谱仪、紫外分光光度计及电学测试系统对样品的结构、光学及电学特性进行表征。
3：实验设备与材料清单：
射频磁控溅射系统、X射线衍射仪（RIGAKU SmartLab）、原子力显微镜（Bruker Dimension ICON）、能谱仪（HITACHI SU-70）、紫外分光光度计（岛津UV-2450PC）及电学测量系统。
4：0）、紫外分光光度计（岛津UV-2450PC）及电学测量系统。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：依次完成a-IGO薄膜沉积、表征及光电探测器制备，并在紫外光照下测试探测器的响应度和响应速度。
5：数据分析方法：
通过数据分析确定薄膜结构特性、光学带隙及光电探测器性能参数（如响应度和响应时间）。
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XRD
RIGAKU SmartLab
RIGAKU
Used for testing the structure and orientation of the film.
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AFM
Bruker Dimension ICON
Bruker
Used for determining the film surface roughness and resistance distribution.
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EDX
HITACHI SU-70
HITACHI
Used for characterizing the In content and distribution of the films.
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UV spectrophotometer
Shimadzu UV-2450PC
Shimadzu
Used for testing the transmission rate and calculating the detection range and bandgap.
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RF magnetron sputtering system
Used for depositing amorphous In-doped Ga2O3 thin films at room temperature.
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