研究目的
首次展示了一种基于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底上非晶氧化镓(a-Ga2O3)薄膜的3D构型光电探测器阵列,并通过简单的折纸方法实现了该3D光电探测器阵列。
研究成果
基于Ga2O3薄膜的3D日盲光电探测器阵列首次通过折纸法成功制备。该探测器对日盲紫外光检测展现出较高的光谱选择性。器件保持优异的耐弯折性和柔韧性,且3D光电探测器阵列中所有单元均具有高度一致的性能。这项工作为从常规半导体薄膜制备3D探测器提供了范例。
研究不足
三维光电探测器的发展受到柔性衬底玻璃化转变温度低的制约,这限制了三维光电探测器可选材料的范围。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用折纸法,利用生长在PET基底上的非晶Ga2O3薄膜制备三维日盲光电探测器阵列。
2:样品选择与数据来源:
通过射频磁控溅射在PET基底上沉积Ga2O3薄膜。
3:实验设备与材料清单:
PET基底、Ga2O3陶瓷靶材、射频磁控溅射系统、热蒸发腔室、金薄膜、光刻与湿法刻蚀设备。
4:实验步骤与操作流程:
将制备在PET上的二维Ga2O3光电探测器阵列切割为八瓣雪花形状,随后弯曲成三维半球形。
5:数据分析方法:
通过XRD、AFM、SEM和EDS评估Ga2O3薄膜的结构特性,使用半导体参数分析仪测量电学特性。
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