自下而上：实现高选择性的区域选择性原子层沉积

摘要： 通过区域选择性原子层沉积（ALD）实现的自下而上纳米制造技术，因能消除自上而下加工中日益凸显的边缘定位误差，在半导体加工领域正获得强劲发展势头。此外，该技术在催化剂原子级精准合成等诸多领域也展现出新机遇。本文综述了区域选择性ALD领域的最新进展，探讨了实现高选择性的挑战，并提出了改进该工艺的展望。沉积过程中选择性丧失的普遍原因是：本不应发生沉积的表面在接触ALD化学环境后特性会发生改变。解决方案是在ALD过程中实施表面功能化或选择性刻蚀等修正步骤，由此发展出将传统两步法ALD循环与多步循环及/或超循环配方中的修正步骤相结合的先进ALD循环工艺。