研究目的
概述原子层沉积(ALD)领域中区域选择性技术的当前进展,探讨实现高选择性的挑战,并提出改进区域选择性ALD工艺的展望。
研究成果
该论文得出结论:在原子层沉积(ALD)过程中实施校正步骤(如表面功能化或选择性刻蚀),可提升区域选择性ALD工艺的选择性。研究建议通过将传统两步ALD循环与多步循环和/或超循环方案中的校正步骤相结合,开发先进ALD循环方案,以此作为实现高选择性的解决方案。
研究不足
主要限制包括:当非生长区暴露于原子层沉积(ALD)化学环境时,其特性变化导致实现高选择性具有挑战性;自组装单分子层(SAMs)的热稳定性问题;以及不同ALD工艺需要特定工艺解决方案的需求。