[IEEE 2018年第19届国际电子封装技术会议(ICEPT) - 上海 (2018.8.8-2018.8.11)] 2018年第19届国际电子封装技术会议(ICEPT) - 大开孔率与深度应用的博世蚀刻研究

摘要： 随着半导体技术的发展，博世刻蚀技术越来越多地应用于2.5D多芯片集成和3D晶圆级芯片尺寸封装。该技术能形成具有各向异性的垂直通孔，有助于推动器件微型化。但在PCR（聚合酶链式反应）芯片、光学指纹芯片等大开孔率与深度应用场景中，博世刻蚀工艺面临新挑战。本文通过优化夹盘温度、光刻胶层厚度及偏置功率等参数开展实验研究，成功制备出开孔率45%、深度350微米的通孔结构。当夹盘温度控制在5℃、光刻胶层厚度为17微米时，可获得超过30:1的选择比；在保持良好形貌的同时实现4.6微米/分钟的刻蚀速率（均匀性达3.1%），且扇贝状刻蚀痕迹约50纳米。最终通孔底部开口直径较顶部开口（51微米）大3微米。