修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

17 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 采用原子层沉积法形成HfO?界面层对Au/Ti/n-GaAs器件势垒高度的调控

    摘要： 采用X射线光电子能谱对原子层沉积法制备的n型GaAs衬底上氧化铪(HfO?)薄膜表面进行表征，并通过原子力显微镜分析了GaAs表面HfO?层的形貌。根据器件I-V特性测得：具有3nm和5nm HfO?界面层的Au/Ti/HfO?/n-GaAs结构在300K下的势垒高度(BH)值分别为1.03eV和0.93eV，高于我们制备的Au/Ti/n-GaAs二极管(0.77eV，300K)。这表明金属/GaAs界面的HfO?薄层可作为栅绝缘体用于GaAs金属-氧化物半导体(MOS)电容器和MOS场效应晶体管的势垒高度调控。计算得到3nm和5nm界面层金属-绝缘层-半导体(MIS)器件在400K和60K时的理想因子分别为1.028/2.72eV和1.04/2.58eV。通过Norde方法和各样品温度下的势垒高度高斯分布(GD)，计算了器件的偏压相关势垒高度值。320K时，根据GD确定的φb(V)-V曲线显示：3nm MIS二极管在0.70V处的φb(V)值约为1.08eV，5nm MIS二极管在0.58V处约为0.99eV。这些偏压相关势垒高度值与同偏压下Norde方法所得结果高度吻合。

    关键词： 金属-绝缘层-半导体（MIS）器件、势垒高度改性与不均匀性、偏压依赖的势垒高度、温度依赖的MIS二极管参数、原子层沉积（ALD）

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 22.3：利用纳米压印光刻技术低成本制备高对比度、高透射率的线栅偏振器

    摘要： 本文提出了一种低成本制备大面积线栅偏振器（WGP）的新方法。作为传统后置偏振片和DBEF的潜在替代方案，WGP具有高对比度（CR）和高透射率的优点。目前WGP主要通过电子束直写技术制备，但该方法速度慢且成本高，不适用于大面积应用。随着纳米制造技术（如纳米压印光刻NIL）的发展，可实现大面积WGP的低成本快速制备。此外，通过卷对卷（R2R）纳米压印还能制造柔性偏振器。本文将通过纳米制造实现一种在可见光谱范围内TM透射率约85%、TE透射率低至0.2%的高性能WGP，其对比度可达>450（峰值>3000）。制备过程中将采用原子层沉积（ALD）技术制作压印掩模，从而实现对目标结构的高度精密控制。论文后半部分还将阐述所设计WGP的特性表征，包括透射率、对比度及SEM示意图。我们认为这种低成本制备方法未来有望应用于偏振器的工业化生产。

    关键词： 原子层沉积（ALD）、大面积制备、低成本制造、线栅偏振器（WGP）、高对比度、纳米压印光刻（NIL）、高TM透射率

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 通过分子偶极子和金属氧化物解耦半导体-液体结中p-Si(111)光电压的表面复合与势垒高度效应

    摘要： 本研究揭示了由半导体、金属氧化物和金属构成的模型光电化学体系中的载流子动力学机制。为分离载流子动力学与催化效应，采用常见催化金属（铂）与外球氧化还原对协同作用。通过电负性芳基基团（对硝基苯基和间二硝基苯基）对硅（111）基底进行表面功能化修饰。X射线光电子能谱分析表明，使用对硝基苯基/甲基混合单层的基底具有高表面质量（低SiOx含量）和低表面复合速率。该基底还展现出预期的正表面偶极矩——p型基底上的整流J-V特性及表面光电压谱测得的正光电压可资佐证。其结构相近的间二硝基苯基则因高SiOx覆盖率和表面复合速率（S>3000 cm/s）表现出较差的电子表面质量。当p型硅功能化表面与水溶液中高浓度（50 mM）甲基紫精（MV2+）接触时，光电化学J-V测试显示开路电压值与实测势垒高度相关；而低浓度（1.5 mM）MV2+实验则呈现显著的表面复合贡献。 进一步研究了原子层沉积金属氧化物（TiO2、Al2O3）和铂沉积对电子及（光）电化学性能的影响。对于间二硝基苯基基底，150℃下沉积非晶态TiO2和Al2O3均降低了表面复合速率。值得注意的是，TiO2沉积导致所有基底的开路电压负向偏移（可能源于ALD-TiO2缺陷能带效应），但后续铂沉积不仅恢复了TiO2沉积造成的效率损失，更使各基底获得最正向的开路电压值。总体而言，本研究证实：（1）当载流子收集动力学过程较快时，p-Si(111)-R器件的性能限制因素是载流子热发射越过势垒而非表面复合；（2）尽管TiO2|Pt提升了所有基底的光电化学性能，但底层（正向）表面偶极矩的有益效应依然存在；（3）铂沉积除提升催化速率外，还能产生有益的电荷分离效应。

    关键词： 太阳能燃料、界面偶极子、原子层沉积（ALD）、表面功能化、带边调制、光电化学

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 溶胶-凝胶浸涂法与原子层沉积法在三维纳米弹簧垫上制备ZnO的形貌及电学性能比较

    摘要： 我们首次报道了通过溶胶-凝胶法和原子层沉积（ALD）技术在二氧化硅纳米弹簧上制备的ZnO共形涂层在紫外光（光照）和无紫外光（黑暗）条件下的形貌与电学特性。场发射扫描电子显微镜（FESEM）图像显示，两种方法均在纳米弹簧表面形成了共形ZnO涂层。溶胶-凝胶涂层在高浸渍/烧结循环次数下表面出现裂纹，而ALD ZnO薄膜的形貌始终保持光滑无裂纹。溶胶-凝胶ZnO涂层纳米弹簧垫的有效光电导率随涂层厚度增加呈非线性增长，其对应的黑暗环境有效电导率在同一厚度范围内也有所提升。相比之下，ALD ZnO涂层纳米弹簧垫的有效光电导率随涂层厚度增加呈线性增长，其对应的黑暗环境有效电导率同样在该厚度范围内递增。ALD ZnO涂层纳米弹簧垫具有更优异的有效电导率和光电导率，这归因于涂层的均匀性以及较厚溶胶-凝胶ZnO涂层中观察到的裂纹缺失现象。

    关键词： 原子层沉积（ALD）、半导体、溶胶-凝胶法、纳米弹簧、场发射扫描电子显微镜、导电性、氧化锌

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 用于热薄膜沉积过程诊断的光学可及模块化反应器的设计与运行

    摘要： 本文描述了一种设计简单、光学可视的模块化反应器，用于探究热薄膜沉积过程（如原子层沉积工艺ALD和化学气相沉积CVD）。该反应器标准占地面积为225平方厘米，质量约6.6千克，体积小巧，可便捷作为光学系统?？樽榧褂?。其设计结构简单，便于制造且成本相对较低。通过两项红外吸收测量来表征反应器运行特性，从而确定四(二甲氨基)钛和水这两种典型ALD前驱体在ALD常用压力与流量条件下的排空时间。

    关键词： 原子层沉积（ALD）、原位、反应器、诊断、化学气相沉积（CVD）、光学池

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 通过原子层沉积（ALD）在硅纳米线上沉积的氧化锌的光学特性

    摘要： 在这项工作中，我们报道了通过结合纳米球光刻（NSL）、金属辅助化学蚀刻（MACE）和原子层沉积（ALD）技术合成硅核/氧化锌壳纳米线（SiNWs/ZnO）的概念验证结果。采用X射线衍射、拉曼光谱、扫描和透射电子显微镜对制备的SiNWs/ZnO纳米结构进行了结构特性研究。X射线衍射分析表明所有样品均具有六方纤锌矿结构，晶粒尺寸范围为7-14纳米。通过反射光谱和光致发光光谱研究了样品的光学特性。SiNWs/ZnO样品的光致发光（PL）光谱研究表明缺陷发射带占主导地位，表明所制备的三维ZnO纳米结构存在化学计量比偏差。随着SiNWs蚀刻时间增加，观察到SiNWs/ZnO的PL强度降低，这反映了纳米线长度增加导致光散射增强。这些结果为电子器件和传感器的设计开辟了新前景。

    关键词： 纳米球光刻（NSL）、原子层沉积（ALD）、硅纳米线（SiNWs）、金属辅助化学蚀刻（MACE）、氧化锌（ZnO）

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 等离子体增强原子层沉积氮化硅作为刻蚀阻挡层的物理特性研究

    摘要： 等离子体增强原子层沉积（PEALD）生长的氮化硅（SiNx）薄膜中，将薄膜质量与湿法刻蚀速率（WER）这一关键性能指标相关联的物理特性研究仍十分有限。对于7纳米以下节点半导体工艺中的刻蚀阻挡层应用而言，实现低WER的SiNx薄膜尤为重要。本研究采用傅里叶变换红外光谱、X射线反射率和椭圆偏振光谱等技术，探究了PEALD SiNx薄膜中氢浓度、氢键状态、体相密度、残留杂质浓度与WER之间的关联。通过调节工艺温度（270°C-360°C）和等离子体气体组分（N2/NH3或Ar/NH3），使用六氯乙硅烷和空心阴极等离子体源制备了一系列SiNx薄膜，以分析上述因素对WER的影响。研究发现：氢浓度变化及氢键状态差异会导致体相密度改变，进而引起WER变化；氢键浓度与WER呈线性关系，而体相密度与WER呈反比关系。与PECVD SiNx工艺类似，氢键浓度降低源于（1）热活化或（2）等离子体激发物种的作用。但与硅烷（SiH4）基PECVD SiNx不同，PEALD SiNx的WER还受硅前驱体残留杂质（如氯杂质）影响。据此提出了HF湿法刻蚀中受氢键状态或残留杂质影响的WER机制：SiNx中因氢键状态差异导致的胺碱性位移，以及Cl杂质含量引起的硅亲电性变化，是影响PEALD工艺WER的主要机理。

    关键词： 等离子体增强原子层沉积（PEALD）、体膜密度、六氯乙硅烷（HCDS）、湿法刻蚀速率（WER）、氮化硅、氢/氯含量、原子层沉积（ALD）、氢键状态

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 采用原子层沉积氧化铝对MCz硅上AC耦合n-in-p像素探测器进行加工

    摘要： 我们报道了在磁控直拉硅衬底上制备电容耦合（交流）n+-in-p像素探测器的研究。我们的器件采用原子层沉积（ALD）生长的氧化铝（Al2O3）薄膜作为介质和场绝缘层，替代常用的二氧化硅（SiO2）。早期研究表明，Al2O3薄膜具有高负氧化物电荷特性，因此可替代像素间的p-stop/p-spray绝缘注入层。此外，由于其高介电常数，Al2O3能提供远高于SiO2的电容密度，从而实现更高效的像素电容耦合。研究还采用金属氮化钛（TiN）偏置电阻替代穿通或poly-Si电阻。通过电容-电压、电流-电压测试以及2 MeV质子微探针对所得器件进行表征，结果显示Al2O3介质具有预期的强负电荷特性、像素大面积区域均匀的电荷收集效率以及可接受的漏电流密度。

    关键词： 电容耦合，氧化铝，原子层沉积（ALD），像素探测器

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE脉冲功率与等离子体科学会议(PPPS) - 美国佛罗里达州奥兰多(2019.6.23-2019.6.29)] 2019年IEEE脉冲功率与等离子体科学会议(PPPS) - NS激光冲击喷丸的二维模拟

    摘要： 我们报道了H2高压退火（HPA）对采用Al2O3/HfO2栅堆叠的In0.7Ga0.3As MOS电容器和量子阱（QW）MOSFET的影响。在300°C、H2环境及20个大气压的工艺条件下进行HPA后，观察到Al2O3/HfO2栅堆叠InGaAs MOS电容器的电容-电压（CV）特性显著改善，如等效氧化层厚度减小且积累区频率色散降低，界面态密度（Dit）降低了20%。随后我们将HPA工艺引入亚100纳米In0.7Ga0.3As QW MOSFET的制备中以研究其影响。经HPA处理后，Lg=50纳米的器件亚阈值摆幅（SS）提升至105 mV/十倍频程，而未采用HPA工艺的参考器件为130 mV/十倍频程。最后通过恒定电压应力（CVS）进行可靠性评估，结果表明HPA工艺能有效抑制CVS过程中阈值电压（ΔVT）的漂移。这些改善归因于H2环境下HPA工艺对高k介质层氧化物陷阱和界面陷阱的有效钝化作用。

    关键词： 界面陷阱密度（Dit）、亚阈值摆幅（SS）、高压退火、原子层沉积（ALD）、InGaAs MOSFET

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • P-9.1：基于量子点的分布式布拉格反射镜结构彩色转换器及其在微型LED中的应用

    摘要： 通过原子层沉积（ALD）生长的双功能TiO?/Al?O?分布式布拉格反射镜（DBR）纳米叠层结构，已证实可提升量子点（QD）LED的光提取效率。利用TFCalc软件对DBR进行模拟与优化后，该结构展现出优异且可调的光学特性以及可靠的防潮屏障性能。将这些DBR集成于量子点LED中，能显著增强红光发射并大幅降低蓝光透射率，从而实现卓越的色彩转换效果。此外，此类DBR通过阻隔量子点与水汽接触，可显著延长量子点寿命。这些成果凸显了DBR在QLED及量子点LED领域的应用潜力。

    关键词： 原子层沉积（ALD）、模拟、分布式布拉格反射器（DBR）、水蒸气透过率（WVTR）、光提取效率

    更新于2025-09-19 17:13:59