研究目的
提出一种利用纳米压印光刻技术制备大面积、高对比度、高透射率的线栅偏振器的低成本制造方法。
研究成果
采用纳米压印光刻(NIL)和原子层沉积(ALD)的低成本制备方法显示出偏振片工业应用的潜力,可实现约85%的高TM透射率、低至0.2%的TE透射率,以及对比度>450(峰值>3000)。
研究不足
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研究成果
采用纳米压印光刻(NIL)和原子层沉积(ALD)的低成本制备方法显示出偏振片工业应用的潜力,可实现约85%的高TM透射率、低至0.2%的TE透射率,以及对比度>450(峰值>3000)。
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