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oe1(光电查) - 科学论文

105 条数据
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  • 两种分光光度计的实验室与临床可靠性

    摘要： 目的：评估两种临床适用分光光度计在实验室和临床条件下的可重复性、检查者间及设备间可靠性。材料与方法：体外研究部分使用Vita Easyshade Advance 4.0（ES-A）和Easyshade V（ES-V）对不同比色板（3D-Master；德国Vita Zahnfabrik公司，巴特塞金根）相同位置进行测量。为测试可重复性，由一名操作者对同一比色板测量50次；为确定检查者间和设备间一致性，两名操作者使用两种设备对五个不同比色板各测量10次。临床环境下通过定位夹具（15名受试者）检验设备间和检查者间可靠性。评估两种设备对推荐比色板颜色的测量准确性。结果：两种Easyshade设备所有颜色成分的可重复性均极佳（测量间最大偏差≤0.1单位）。检查者间一致性完美（组内相关系数ICC=1.000）。设备间一致性稍低但仍良好（ICC≥0.834）。临床环境中检查者间和设备间一致性相似（ICC>0.964和ICC>0.873）。两种设备准确性令人满意，近80%的评估结果两位观察者完全一致。结论：两种Easyshade设备均能提供可靠准确的测量结果，推荐用于临床牙齿颜色测定。临床意义：本研究结果可帮助临床医生评估新型数字比色设备的性能。

    关键词： L*a*b*、准确性、可靠性、Easyshade、分光光度计

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 基于二氧化硅的平面光波导分路器可靠性研究新进展

    摘要： 环境、机械和光学可靠性是PLC光分路器应用的基本前提。根据温湿度循环实验表明，PLC光分路器的插入损耗随温度变化。与室温性能相比，该器件在75°C时最大插入损耗变化为0.472 dB，在-40°C时为0.486 dB。建立了耦合光纤阵列的PLC芯片三维有限元模型以研究温度对插入损耗的影响。仿真结果与实验结果吻合，表明PLC芯片与光纤阵列的失配是插入损耗变化的主要原因。评估PLC光分路器可靠性时，考虑全局温度影响而不仅关注静态温度下的性能具有重要意义。

    关键词： PLC光分路器，温湿度，有限元法，光波导，可靠性

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 24.4：采用光屏蔽金属设计的高性能顶栅自对准共面非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFTs）

    摘要： 本文展示并比较了采用不同遮光金属(SM)层设计的TG-SA a-IGZO薄膜晶体管。通过测量其电学特性系统分析了遮光金属产生的影响，系统研究了器件不稳定性与不同遮光金属设计之间的关系。随后成功制备出采用TG-SA a-IGZO TFT背板的14英寸高性能OLED显示原型，显示出优异的量产前景。

    关键词： 可靠性、遮光金属、顶栅自对准共面结构、a-IGZO薄膜晶体管

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [IEEE 2018年第三届厄瓜多尔技术分会会议(ETCM) - 厄瓜多尔昆卡 (2018.10.15-2018.10.19)] 2018年IEEE第三届厄瓜多尔技术分会会议(ETCM) - 功率应用中基于氮化镓器件的可靠性

    摘要： 本文分析了AlGaN/GaN器件中两个重要的可靠性问题：正偏压温度不稳定性（PBTI）和与时间相关的介质击穿（TDDB）。我们先前在MOS-HEMT中进行的PBTI研究总结结果表明，以SiO2作为栅极介质的器件其阈值电压退化特征表现为陷阱速率参数的普遍下降行为，这归因于SiO2及SiO2/GaN界面处的电荷俘获。相反，Al2O3和AlN/Al2O3栅极堆叠中观察到的退化主要归因于预存介质陷阱中的电荷捕获，且界面态产生可忽略不计。此外，插入薄AlN层会影响器件可靠性——与未采用该层的器件相比，观察到更大的陷阱密度、更快的电荷俘获速度、更宽的陷阱能量分布以及更慢的电荷释放过程?；贕aN器件的介质重要性也在具有门控边缘终端（GET）的肖特基势垒二极管（SBD）中得到研究。我们最新的TDDB结果表明：采用双层GET结构并搭配厚钝化层（2GET-THICK）的器件，相比单层GET搭配薄钝化层（1GET-THIN）的器件具有更窄的威布尔分布和更长的失效时间。因此，前者结构更适合高功率高温应用场景。

    关键词： TDDB（经时击穿）、AlGaN/GaN肖特基二极管、陷阱效应、去陷阱效应、可靠性、正偏压温度不稳定性（PBTI）、击穿电压、栅极电子陷阱（GET）、MOS-HEMT（金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管）

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • GaN和Si?N?钝化层对带栅极边缘终端的AlGaN/GaN二极管性能的影响

    摘要： 本文分析了AlGaN势垒层顶部GaN与Si3N4钝化（或称"盖层"）对带栅极边缘终端（GET-SBDs）肖特基势垒二极管性能与可靠性的影响。两种盖层器件具有相似的直流特性，但SiO2/GaN界面处更高的陷阱密度和/或接入区总介电常数增加导致GaN盖层器件呈现更高的RON离散性。两类器件在中/低温区的漏电流显示出两个与电压无关的低能级激活能，表明热电子发射与场致发射过程共同主导导电机制。此外，GaN盖层器件在高温区从低电压即出现电压相关的激活能，这限制了其击穿电压（VBD）。时变电介质击穿测试显示Si3N4盖层器件具有更集中的分布（威布尔斜率β=3.3），优于GaN盖层器件（β=1.8）。通过不同盖层的等离子体增强原子层沉积（PEALD）-Si3N4电容器补充测量及TCAD仿真发现：在GET拐角处的PEALD-Si3N4介质内存在强电场峰值，该效应可能加速渗流路径形成，即使在低应力电压下也会引发GaN盖层SBDs器件击穿。

    关键词： Si3N4盖层，GaN盖层，AlGaN/GaN肖特基二极管，可靠性，击穿电压，钝化层，关态，激活能

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 非对称双沟道多晶硅薄膜晶体管的高压偏置应力抗扭结特性与高可靠性

    摘要： 采用非对称设计的多晶硅（poly-Si）薄膜晶体管（TFT）被制造并研究，以抑制扭结效应并提高电学可靠性。非对称双沟道长度多晶硅TFT（ADCL）展现出最佳的扭结电流与漏电流抑制效果。技术计算机辅助设计模拟证实，在高漏源电压（VDS）下，ADCL能在TFT的浮空节点处产生适当的高压，从而缓解碰撞电离效应，改善跨导退化问题，使器件在热载流子应力作用下表现出高可靠性。

    关键词： 扭结、可靠性、薄膜晶体管、热载流子应力、多晶硅

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 聚酰亚胺薄膜在高直流电场中的电致发光与可靠性研究

    摘要： 通过自制实验装置测试了聚酰亚胺（PI）薄膜在直流高电场下的电致发光（EL）强度。结果表明：当电场强度小于2.00 MV/cm时，PI薄膜的EL强度与背景强度近似；当电场强度超过2.00 MV/cm后，EL强度随电场增强而提升。在2.80 MV/cm电场下EL强度急剧增强，表明与场加速热电子相关的激发过程接近临界阈值。本研究采用威布尔分布法处理同组样品的差异性实验数据，并引入可靠性概念。通过对九组EL实验数据分析得出：中值寿命为t=164.9分钟，击穿场强中值为E=2.76 MV/cm。

    关键词： 可靠性、故障、威布尔分布、电致发光、聚酰亚胺薄膜

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [IEEE 2018年第七届巴尔干照明会议（BalkanLight）- 瓦尔纳（2018.9.20-2018.9.22）] 2018年第七届巴尔干照明会议（BalkanLight）- 基于应力-强度模型分析的多样性系统可靠性研究

    摘要： 本文研究双通道同构冗余及分集系统的可靠性指标计算问题。通过SSM方法可便捷确定共因失效(CCF)概率及其他被研究冗余系统参数。此处采用多因子应力-强度模型(MFSSM)的复合分析方法，所得解析公式均经过仿真验证。

    关键词： 多样性、共因失效、应力-强度模型、可靠性

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [IEEE 2018年第19届国际电子封装技术会议(ICEPT) - 上海 (2018.8.8-2018.8.11)] 2018年第19届国际电子封装技术会议(ICEPT) - 氮化镓高电子迁移率晶体管退化的热分析

    摘要： 对工业级GaN HEMT器件进行了高温工作（HTO）实验，检测到跨导下降、阈值电压漂移、栅极漏电流增大等多项直流参数退化失效模式。通过电学方法对器件进行了垂直方向失效定位与分析，结果表明：芯片粘接层退化加剧是导致器件结温升高和热阻增大的主要原因。进一步采用三维X射线成像技术验证了芯片粘接层的退化情况——高温工作应力实验期间，芯片粘接层中的空洞持续扩大，导致散热性能恶化，进而引发结温升高并加速器件性能退化。

    关键词： 结温、热阻、可靠性、氮化镓

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 短路应力对SiC功率MOSFET中SiO2介质退化的影响

    摘要： 本文研究了短路事件对平面SiC MOSFET栅极可靠性的影响，该影响随着结温升高和偏置电压增大而愈发显著。电学波形表明存在栅极退化机制，表现为栅极漏电流随退化程度加剧而持续增大。通过对退化SiC MOSFET进行失效分析，并与新器件结构对比以识别潜在缺陷/异常。聚焦离子束切割显示与新器件相比存在多处差异：(i)多晶硅栅极与铝源极间出现裂纹；(ii)源极接触附近存在金属颗粒；(iii)铝源极顶面发生形变。这些缺陷与栅极漏电流及漏极漏电流的增大具有相关性。

    关键词： 聚焦离子束，短路，栅极氧化层击穿，栅极氧化层，退化，缺陷，可靠性，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，失效分析，扫描电子显微镜

    更新于2025-09-23 15:22:29