研究目的
为了展示和比较具有不同光屏蔽金属设计的TG-SA a-IGZO TFTs,分析其电学特性和可靠性,并评估其在OLED显示器中的应用。
研究成果
采用SM设计的TG-SA a-IGZO TFT器件(尤其是与栅极电极连接的TB TFT)展现出更优的电学性能和偏压应力稳定性。原型OLED显示器呈现优异品质,表明其具备良好的量产潜力。未来工作可进一步优化SM设计并探索其可扩展性。
研究不足
该研究仅限于特定的SM设计和尺寸;未充分探究其他参数或环境条件的变化??煽啃圆馐灾蠸H=18的小样本量可能影响可信度,且制造工艺特定于G2.5生产线,可能不适用于其他规模。
1:实验设计与方法选择:
研究通过制备不同SM设计(连接源极或栅极电极、不同尺寸)及无SM的TG-SA a-IGZO TFTs,分析其对电学特性及PBTS/NBIS测试下可靠性的影响。理论模型包含电荷俘获机制与双栅结构效应。
2:样本选择与数据来源:
样本制备于370毫米×470毫米玻璃基板,a-IGZO层(In:Ga:Zn=1:1:1原子比)及其他层通过溅射与PECVD沉积。电学测量采用安捷伦半导体分析系统。
3:实验设备与材料清单:
设备包括用于屏蔽层沉积的直流溅射仪、用于SiOx和SiO2层的PECVD、电极溅射装置及安捷伦半导体分析仪。材料包含玻璃基板、a-IGZO、SiOx、SiO2、电极用铜及钝化有机层。
4:电极用铜及钝化有机层。
实验流程与操作步骤:
4. 实验流程与操作步骤:制备工序:直流溅射沉积屏蔽层→PECVD沉积SiOx缓冲层→直流溅射沉积a-IGZO层→PECVD沉积SiO2栅绝缘层→沉积并图形化ILD→溅射形成栅极与源漏电极→完成钝化等层结构。进行转移特性测量及PBTS/NBIS应力测试。
5:数据分析方法:
分析阈值电压(VTH)、亚阈值摆幅(SS)、饱和电流(Ion)及应力下VTH偏移等电学参数?;谑挡馐荻圆煌琒M设计进行统计比较。
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