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压印技术制备的单壁碳纳米管增强场电子发射
摘要： 本工作通过银缓冲层衬底压印法制备了单壁碳纳米管（SWCNTs）场发射电子源。研究发现，与启亮场强1 V/μm、阈值场强2 V/μm的丝网印刷SWCNTs发射体相比，压印法制备的SWCNTs发射体场发射性能显著提升——启亮场强降至0.62 V/μm，阈值场强降至1.04 V/μm。这种性能提升源于直接压印工艺使碳纳米管保持洁净表面且衬底上发射体密度更高。场发射启亮场强的降低归因于发射体表面无杂质包裹，以及SWCNTs的高长径比（导致15800的强场增强因子）。经多次重复实验验证，压印阴极的发射性能几乎保持不变。这种简便低成本的工艺可高效制备高性能场发射阴极，在多种电子器件中展现出应用潜力。
关键词： 场增强因子、开启电场、压印、场发射、单壁碳纳米管、时间稳定性
更新于2025-09-19 17:13:59
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适当排列的二氧化钛纳米棒提升场发射性能：微型化设计
摘要： 本文报道了采用水热法在导电氟掺杂氧化锡涂层玻璃基底上制备垂直排列的二氧化钛纳米棒（TNR），并实现了电子场发射（FE）性能的提升。通过优化成核温度，制备出具有高长径比且间距适宜的TNR。通过调控TNR密度消除了紧密堆积纳米棒的屏蔽效应。这种定向排列的纳米棒结构使外加电场能均匀分布于每根纳米棒，从而增强电子发射能力。采用扫描电子显微镜研究纳米棒形貌，并基于Fowler-Nordheim模型分析了观测到的场发射电流密度-电场响应关系。该结构使开启电场和场增强因子分别改善至0.2 V/μm和37000，电场强度提升达两个数量级。
关键词： 福勒-诺德海姆模型、水热法、场致发射、二氧化钛纳米棒、场增强因子
更新于2025-09-09 09:28:46