修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

6 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 基于表面势的双栅双层石墨烯场效应晶体管模型（包含电容效应）

    摘要： 本研究提出了一种表面势建模方法，用于双栅极双层石墨烯场效应晶体管建模。通过考虑各层量子电容效应及层间电容，改进了GFET的等效电容网络?；诟玫刃У缛萃缃馕鋈范怂愕谋砻媸?，并利用表面势通过漂移-扩散输运机制建立了漏源电流的显式表达式。所开发模型的漏电流特性与转移特性与文献实验结果高度吻合。推导了本征石墨烯晶体管的小信号参数（输出电导gds、跨导gm、栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs），最终确定了该模型的截止频率。采用归一化均方根误差(NRMSE)指标与实验数据对比，显示NRMSE小于16%。基于该模型开发了Verilog-A代码，并在Cadence设计环境中利用此模型设计了单端倍频器。

    关键词： 模型，场效应晶体管（FET），Verilog-A，石墨烯，表面电势，倍频器。

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 通过可控插层对范德华材料进行互补掺杂以实现单片集成电子器件

    摘要： 掺杂控制一直是范德瓦尔斯材料电子应用面临的关键挑战。本研究通过可控离子插层技术实现了黑磷的互补掺杂，构建出一体化功能单元。我们系统表征了离子浓度依赖的各向异性电输运特性，发现电阻率可在三个数量级范围内调控，其浓度依赖特征与插层过程中的相变行为相对应。进一步地，我们成功研制出兼具高稳定性和优异性能的p型/n型场效应晶体管及电学二极管。此外，插层过程使载流子迁移率从380提升至820 cm2/(V·s)，基于第一性原理计算将其归因于中性杂质散射的抑制效应。本研究为原子级精准调控范德瓦尔斯材料电学特性提供了新途径，有望推动先进电子器件与物理平台的发展。

    关键词： 纳米电子学、二维（2D）材料与异质结构、可调谐特性、二极管、黑磷、场效应晶体管（FET）

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 二硫化钨纳米片/铟镓锌氧薄膜异质结用于光电探测器、反相器及交流整流电路

    摘要： 在玻璃衬底上制备并展示了一种结合二维WSe?纳米片与非晶InGaZnO（a-IGZO）薄膜的异质结PN二极管及反相器电路。该p-WSe?/n-IGZO异质结二极管呈现整流特性，在反向偏压下能有效响应红光（λ=620 nm）。由异质结PN二极管与IGZO场效应晶体管（FET）组合构成的二极管负载反相器，在5V供电电压下展现出约12的峰值电压增益。当对PN二极管施加反向偏压时，相同PN二极管与n-FET的集成结构显示出可见光探测能力。此外，经氧等离子体处理后的PN二极管因WSe?纳米片的空穴掺杂效应，其开/关整流比显著提升至≈5×10?。这种改进的PN二极管与IGZO FET集成后构成了交流整流电路。

    关键词： 场效应晶体管（FET）、反相器、二硫化钨（WSe2）、铟镓锌氧（IGZO）、异质结PN二极管、交流整流器

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 基于超宽禁带Ga?O?半导体材料的功率场效应晶体管研究进展

    摘要： 作为一种极具潜力的超宽禁带半导体，氧化镓（Ga?O?）近年来受到越来越多的关注。其高理论击穿电场强度（8兆伏/厘米）、超宽禁带宽度（约4.8电子伏特）以及优异的巴利加优值（BFOM），使它成为下一代高功率电子器件（包括二极管和场效应晶体管FET）的潜在候选材料。本文介绍了Ga?O?单晶的基本物理特性，综述了基于Ga?O?的场效应晶体管的最新研究进展。此外，还总结并比较了各类FET结构，初步揭示了Ga?O?的潜力。最后，分析了基于Ga?O?的FET在功率电子应用中的前景。

    关键词： 超宽带隙半导体、场效应晶体管（FET）、功率器件、氧化镓（Ga?O?）

    更新于2025-09-23 02:06:39

  • 基于溶液法制备的P3HT:PbS近红外光电探测器（场效应晶体管结构）

    摘要： 本文提出了一种基于PbS胶体量子点（CQDs）与聚（3-己基噻吩）（P3HT）混合溶液法制备的近红外（NIR）光电探测器。在反向场效应晶体管（FET）器件结构Au(S,D)/P3HT:PbS/PMMA/Al(G)中，采用尺寸均匀且分散良好的PbS CQDs作为活性层的近红外吸收材料，同时聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）介电层可视为封装层以增强器件稳定性。该器件在暗态下获得高达10?的开关比（Ion/Ioff），在200 mW/cm2 980 nm光照下测得最大光电灵敏度（P）为947。当辐照强度降至0.1 mW/cm2时，近红外光电探测器的响应度（R）和比探测率（D?）分别达到9.4 mA/W和2.5×1011琼斯。因此，这种基于P3HT:PbS杂化FET的近红外光电探测器展现出较高的电学性能与探测性能，为后续医疗红外探测器及传感器的制备提供了实验基础与方法。

    关键词： 硫化铅胶体量子点（CQDs）、近红外（NIR）光电探测器、聚（3-己基噻吩）（P3HT）、场效应晶体管（FET）

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • [2018年IEEE国际电子器件与固态电路会议(EDSSC) - 深圳(2018.6.6-2018.6.8)] 2018年IEEE国际电子器件与固态电路会议(EDSSC) - 二硫化钼场效应晶体管中金属-二硫化钼欧姆接触的载流子注入机制

    摘要： 为增强二硫化钼场效应晶体管（FETs）的载流子注入，理解金属-二硫化钼接触的注入机制至关重要。本研究分别制备并表征了采用钛和钪电极的MoS2（FETs）。从隧穿模型角度研究了载流子注入机制。由于势垒宽度更窄，钪-二硫化钼接触展现出与钛-二硫化钼不同的注入机制，使钪成为改善二硫化钼FETs电极的有前景材料。

    关键词： 欧姆接触、二硫化钼、隧穿效应、场效应晶体管（FET）

    更新于2025-09-09 09:28:46