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高效功率转换的氮化镓晶体管 || 射频性能
摘要: 本书到目前为止的主要焦点一直是氮化镓晶体管的开关能力。现在,我们将研究这些氮化镓晶体管(特别是增强型晶体管)的射频能力,并重点介绍能够从其应用中受益的特定射频应用场景。
关键词: 功率转换、射频性能、氮化镓晶体管、射频应用、增强型模式
更新于2025-09-23 15:21:01
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适用于5G移动设备的氮化镓MIS-HEMT功率放大器单片微波集成电路
摘要: 随着各类移动系统数据传输速率的提升,对5G无线通信系统的需求也相应增长。为提高数据传输速率,韩国提出的全球标准高频段之一——28GHz被选用于5G系统。虽然基于氮化镓的高电子迁移率晶体管(HEMT)因其适用于高输出功率放大器而成为5G网络应用极具前景的候选器件,但典型氮化镓HEMT仅能在常开状态下工作。然而,要实现5G系统移动终端的成功运行,需要能在正栅极偏压下工作的常关器件,这不仅能降低电路复杂度和系统成本,还可应用于数字电路领域。为实现正栅极偏压工作,我们采用ETRI氮化镓MIS-HEMT工艺制备了金属-绝缘体-半导体(MIS)-HEMT器件。通过设计制造MIS-HEMT并测试其性能,除采用栅极凹槽技术外,我们还使用Al2O3栅极绝缘层来调节氮化镓MIS-HEMT的阈值电压。为5G移动终端设计的功率放大器(PA)单片微波集成电路(MMIC)在正栅极偏压下工作,在26和28GHz频段展现出29.5dBm的最大输出功率、11dB的功率增益以及11%的功率附加效率(PAE)。
关键词: Ka波段、MIS-HEMT、移动手机、功率放大器、氮化镓、5G、增强型模式
更新于2025-09-23 21:42:18