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oe1(光电查) - 科学论文

4 条数据
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  • [IEEE 2018国际半导体会议（CAS）- 锡纳亚（2018.10.10-2018.10.12）] 2018年国际半导体会议（CAS）- 低电压应用中4H-SiC MOSFET设计中的界面陷阱效应

    摘要： 一项数值模拟研究考察了击穿电压为650V的4H-SiC MOSFET的电流-电压特性，该研究考虑了沟道区氧化物-半导体界面处的缺陷态分布。建模分析表明，对于这些低压器件，沟道电阻分量在不同电压偏置和温度下对决定MOSFET的比导通电阻（RON）起着关键作用。RON值在几mΩ×cm2量级。

    关键词： 数值模拟、功率器件、导通电阻、4H-SiC、缺陷态

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 基于超宽禁带Ga2O3半导体的肖特基势垒二极管在功率电子学应用中的概述

    摘要： 氧化镓（Ga2O3）是一种具有超宽禁带、高击穿电场和优异巴利加优值（BFOM）的新型半导体材料，是肖特基势垒二极管（SBD）等下一代高功率器件的理想候选材料。本文分析了Ga2O3半导体的基本物理特性，综述了基于Ga2O3的SBD最新研究进展，总结了提升器件击穿电压和导通电阻等性能的各种方法并进行比较，最后分析了Ga2O3基SBD在功率电子领域的应用前景。

    关键词： 击穿电场、巴利加优值、导通电阻、超宽禁带半导体、氧化镓（Ga?O?）、功率器件、肖特基势垒二极管（SBD）

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • GaN HEMT寄生元件关键分析及其对SMPA功率性能的影响

    摘要： 该研究分析了如何通过将晶体管集成到功率放大器的输出匹配网络中，来最小化其非线性行为对漏极效率的影响。在无线通信领域，高开关能力功率放大器是未来先进发射机设计的优选方案。在设计高效开关模式功率放大器（SMPA）时，最小化所有寄生元件尤为关键。为更高效地利用晶体管的开关模式，我们分析了若干主要寄生元件以提升晶体管的功率性能?；谒岢龅木骞苣Ｐ?，设计了一款工作在5.8GHz、采用氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的简化F类架构SMPA，其最大输出功率达47dBm，在峰值状态下具有53.9%的高功率附加效率（PAE）和12dB的功率增益。通过负载牵引技术确定了放大器的最佳负载阻抗。

    关键词： 漏极效率、开关模式、负载牵引、导通电阻、晶体管寄生效应、寄生效应、F类

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 一种精确测量4H-SiC光电导开关光电导性能的新方法

    摘要： 提出了一种精确测量光电导半导体开关（PCSS）光电导性能的新方法。通过该方法，我们成功提取了不受测试电路中寄生电感干扰的4H-SiC衬底光电导率。精确测量了PCSS的光电导性能，其中SiC衬底获得了最大导通态光电导率6.26 (Ω·m)?1、最小导通态电阻率0.16 Ω·m以及精确的最小电阻值1.71 Ω。证明了导通态电阻与激光触发区域面积倒数的定量关系。只需改变激光激励区域的面积，即可连续调整PCSS的性能以适应不同的应用需求。

    关键词： 脉冲功率系统开关、碳化硅、光电导开关、导通电阻、本征光电导

    更新于2025-09-04 15:30:14