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基于超宽禁带Ga2O3半导体的肖特基势垒二极管在功率电子学应用中的概述

DOI：10.1186/s11671-018-2712-1 期刊：Nanoscale Research Letters 出版年份：2018 更新时间：2025-09-23 15:22:29
摘要： 氧化镓（Ga2O3）是一种具有超宽禁带、高击穿电场和优异巴利加优值（BFOM）的新型半导体材料，是肖特基势垒二极管（SBD）等下一代高功率器件的理想候选材料。本文分析了Ga2O3半导体的基本物理特性，综述了基于Ga2O3的SBD最新研究进展，总结了提升器件击穿电压和导通电阻等性能的各种方法并进行比较，最后分析了Ga2O3基SBD在功率电子领域的应用前景。
作者： Xue HuiWen，He QiMing，Jian GuangZhong，Long ShiBing，Pang Tao，Liu Ming
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

分析Ga2O3半导体的基本物理特性，回顾近期关于Ga2O3基肖特基势垒二极管（SBD）的研究，总结提升击穿电压和导通电阻等性能参数的方法，并分析其在功率电子器件应用中的前景。

研究成果

氧化镓肖特基势垒二极管（SBDs）因其超宽禁带和高击穿场强在功率电子领域展现出应用前景，但目前仍处于早期发展阶段。未来需要进一步改进材料特性和器件结构，以充分发挥其潜力。

研究不足

该论文是一篇综述，未开展新实验，因此其结论依赖于所引用研究的局限性，例如Ga2O3材料在p型掺杂、低热导率、低载流子迁移率方面的挑战，以及器件开发尚处于早期阶段等问题。

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