[IEEE 2019年第八届国际第四组光子学会议(GFP) - 新加坡，新加坡（2019.8.28-2019.8.30）] 2019年IEEE第十六届国际第四组光子学会议(GFP) - 理解中红外波段锗硅波导损耗的侧壁依赖性

摘要： 本文提出了一种基于场效应晶体管（FET）的功率检测器经验模型。该电学模型由基于漏极电流泰勒级数展开的沃尔泰拉分析及线性嵌入小信号电路构成，其参数完全从S参数和IV曲线中提取得出。最终推导出以FET本征电容和寄生电阻为变量的噪声等效功率（NEP）频率依赖性闭式表达式。对于沟道尺寸各异且工作频率达67GHz的共面接触石墨烯FET，该模型与实测NEP数据高度吻合。研究还从理论与实验两方面探讨了栅极长度对响应度和NEP的影响。