通过溶液前驱体生长单层和双层MoS2以实现高性能光电探测器

摘要： 多项研究表明，过渡金属二硫化物（TMDs）的性能很大程度上取决于其厚度。本文采用溶液前驱体化学气相沉积法，成功制备出单层和双层MoS2薄片，并以此制作光电晶体管以研究其光电性能。所制MoS2光电探测器展现出2.44×1011的高探测率，以及97毫秒/291毫秒的快速响应/恢复时间。研究发现双层MoS2薄片的光响应度高达7160 A W?1。本研究为调控其他TMDs纳米结构的层数提供了路径，将推动高性能二维材料的广泛应用。