高温成形气体退火对含硅酸镧与原子层沉积SiO₂栅介质的4H-SiC横向MOSFET电学特性的影响

摘要： 我们研究了初始氧化镧（La2O3）厚度与退火气体处理（FGA）条件对MOSFET性能的影响。实验表明，FGA能显著提升4H-SiC MOSFET的阈值电压（VT）稳定性。该工艺通过钝化硅酸镧介质中的悬键和活性陷阱，降低界面态密度及陷阱效应，从而改善VT不稳定性并提高高场效应迁移率。通过优化La2O3界面层厚度与FGA条件，实现了兼具高阈值电压、高迁移率且阈值电压漂移最小的SiC MOSFET器件。