研究目的
研究初始氧化镧（La2O3）厚度及成形气体退火（FGA）条件对MOSFET性能的影响。
研究成果
引入超薄La2O3层能显著提升沟道迁移率并保持足够正的阈值电压(VT)，但在正直流电场应力下会导致VT失稳。采用5%氢气与95%氮气混合气体进行的简易快速热退火-炉内退火(RTA-FGA)工艺虽轻微降低了峰值迁移率和阈值电压，但显著改善了VT失稳问题。
研究不足
在4MV/cm正偏压应力下，VT偏移仍然较高，表明FGA条件需要进一步优化。
高温成形气体退火对含硅酸镧与原子层沉积SiO<sub>2</sub>栅介质的4H-SiC横向MOSFET电学特性的影响
DOI：10.4028/www.scientific.net/MSF.924.482
期刊：Materials Science Forum
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
我们研究了初始氧化镧（La2O3）厚度与退火气体处理（FGA）条件对MOSFET性能的影响。实验表明，FGA能显著提升4H-SiC MOSFET的阈值电压（VT）稳定性。该工艺通过钝化硅酸镧介质中的悬键和活性陷阱，降低界面态密度及陷阱效应，从而改善VT不稳定性并提高高场效应迁移率。通过优化La2O3界面层厚度与FGA条件，实现了兼具高阈值电压、高迁移率且阈值电压漂移最小的SiC MOSFET器件。
作者：
Minseok Kang，Kevin Lawless，Bongmook Lee，Veena Misra
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