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oe1(光电查) - 科学论文

71 条数据
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  • 基于无机钙钛矿量子点与有机半导体的简易溶液法制备光刺激突触晶体管

    摘要： 采用光刺激突触模拟器实现的人工智能系统，可通过提供高带宽、低功耗计算需求及低串扰特性的器件来提升运算速度。其中一项关键挑战在于开发能以类神经元/突触方式响应光信号的光刺激器件。本研究报道了一种基于无机卤化物钙钛矿量子点（IHP QDs）与有机半导体（OSCs）制备光刺激突触晶体管（LSSTs）的简易高效溶液法工艺。IHP QDs与OSCs的复合不仅提高了光生电荷的分离效率，还诱导了IHP QDs/OSCs混合薄膜中光电流的延迟衰减。增强的电荷分离效率带来高光电响应度，而光电流延迟衰减特性对实现具有记忆效应的光刺激器件至关重要——这是获得高性能突触功能的关键。这些LSSTs能以高度类神经元/突触的方式响应光信号，既实现了短期突触行为也实现了长期突触行为，可为未来光信号驱动的人工智能系统应用奠定基础。更重要的是，该LSSTs通过简易溶液法制备，可轻松实现大规模样品应用。

    关键词： 光刺激突触晶体管、溶液加工工艺、有机半导体、混合材料、无机卤化物钙钛矿量子点

    更新于2025-11-19 16:56:42

  • 采用YAK-203发光层的有机LED结构导纳研究

    摘要： 基于PEDOT:PSS/NPD/YAK-203/BCP体系有机LED多层结构的电流-电压特性与导纳已在广泛测量条件下进行了实验研究。结果表明，在对应于载流子有效辐射复合的电压下，结构微分电容出现显著下降。LED结构归一化电导的频率依赖性与等效电路法数值模拟结果高度吻合。导纳频率依赖性随温度的变化在200-300K温区最为显著，在8-200K温区较不明显。通过阻抗虚部频率依赖性测得了不同电压和温度下的载流子迁移率，该方法所得迁移率值略低于瞬态电致发光法测定结果。迁移率与电场的关系可用线性函数良好拟合，当温度从300K降至220K时，迁移率下降数倍。

    关键词： 阻抗虚部的频率依赖性、LED结构、电流-电压特性、瞬态电致发光、有机半导体、载流子迁移率、等效电路法、导纳

    更新于2025-11-14 17:28:48

  • 激子扩散对有机半导体主客体体系中三重态-三重态湮灭速率的影响

    摘要： 我们采用动力学蒙特卡洛（KMC）模拟方法，研究了有机磷光半导体主客体体系中，三重态激子扩散对F?rster型三重态-三重态湮灭（TTA）导致效率损失的贡献。研究聚焦于F?rster型客体-客体传递引发的扩散效应，同时与Dexter型客体-客体传递的模拟结果进行对比。通过覆盖广泛F?rster半径范围及高达100 mol%的客体浓度条件开展模拟，旨在为探测TTA的时间分辨光致发光实验分析提供支持。研究发现：基于时间依赖性光致发光强度曲线的定量实验参数——r比值，可较准确地推导出扩散效应对TTA诱导效率损失的相对贡献。在有机发光二极管（OLED）最相关的低客体浓度和小F?rster半径条件下，扩散贡献通常较小；在此弱扩散条件下，可采用捕获半径模型定量解析扩散效应对TTA诱导效率损失的绝对贡献。通过捕获半径模型从TTA模拟获得的有效客体-客体扩散系数，与直接KMC扩散模拟所得扩散系数高度吻合。模拟还揭示扩散系数受客体分子位置分布随机性的显著影响。

    关键词： 有机发光二极管、光致发光、动力学蒙特卡罗模拟、德克斯特能量转移、有机半导体、三重态-三重态湮灭、激子扩散、主客体系统、福斯特能量转移

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 热辅助光酸氧化法调控聚合物电介质表面化学以制备低功耗有机软电子器件

    摘要： 采用具有高介电常数（k）的合适绝缘聚合物材料用于低功耗柔性电子器件，被视为无机介电材料（其脆性大且加工温度高）的一种实用替代方案。然而典型高k聚合物绝缘体的极性表面存在问题，且因其柔软和化学脆弱的特性，在不造成损伤的情况下控制其表面性质是巨大挑战。本文提出一种热辅助光酸氧化法，可有效氧化高k橡胶态聚合物薄膜最外层表面而不引起性能退化。采用该方法制备的氧化表面含有大量羟基，能促进后续由有机硅烷构成的致密有序自组装单分子层（SAMs）生长，整个过程有效改性了聚合物电介质的表面特性。研究探究了聚合物表面氧化机制及后续SAM生长过程，经表面修饰的橡胶态电介质在有机晶体管中展现出优异的电学特性。结果表明该方法可用于实现基于高k聚合物电介质的实用化柔性有机电子器件。

    关键词： 自组装单分子层、有机半导体、聚合物栅极绝缘层、聚合物氧化、表面化学

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 有机半导体中主体与掺杂剂之间的能量无序及能级排列

    摘要： 有机发光二极管发光区中激子的形成与收集，关键取决于主体分子与掺杂分子间的能级排列。因此，理解预测能级排列的机制对制备高性能有机发光器件的材料选择至关重要。本研究通过X射线光电子能谱和紫外光电子能谱发现：主体-掺杂能级排列强烈依赖于薄膜厚度与衬底功函数。固定高斯态密度模型无法解释实验数据，我们推测表面邻近分子的能量无序性主导了能级排列。对多种典型有机半导体的紫外光电子能谱测量验证了该猜想。通过推导经验界面无序函数构建功能化高斯态密度来计算主体能级，继而应用普适性能级排列规则计算主体-掺杂能级排列，结果与实验数据高度吻合。

    关键词： 主体-掺杂剂体系、有机半导体、能级排列、光电子能谱、能量无序性

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 由P3HT和PCBM稳定水分散体制备的催化纳米粒子薄膜的光阴极析氢反应

    摘要： 在由聚(3-己基噻吩)纳米颗粒(npP3HT)和苯基-C61-丁酸甲酯纳米颗粒(npPCBM)组成的光阴极上实现了光辅助析氢反应，其表面沉积了超低负载量的铂纳米颗粒。这两种纳米颗粒分别采用头基极性相反的表面活性剂通过微乳液法独立制备。不含有机溶剂的水分散体npP3HT:npPCBM被均匀涂覆在ITO玻璃上，形成不溶于水的体异质结薄膜。通过光电化学方法在ITO/npP3HT:npPCBM光阴极上沉积铂，发现其优先在PCBM纳米颗粒上成核。ITO/npP3HT:npPCBM/Pt光阴极在0.0 VSHE电位下接受100 mW/cm2可见光照射时产生65 μA/cm2的光电流并释放氢气。使用npP3HT:npPCBM制备的电极所观测到的光电流是采用P3HT与PCBM紧密混合纳米颗粒制备的类似光阴极的两倍，且起始电位正移约0.4 V。鉴于该光电极的简易性——即由水溶液制备且无需真空沉积电荷传输层和保护膜等薄膜——这些结果为有机光电化学器件的大规模合成提供了令人鼓舞的依据。

    关键词： 聚合物纳米粒子，光电化学，P3HT:PCBM体异质结，太阳能制氢，有机半导体，微乳液

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 44.2: <i>特邀论文：</i> 面向低成本背板生产的印刷聚合物薄膜晶体管

    摘要： 我们展示了默克公司新的配方和材料研发成果，这些成果使得能够采用大批量、高吞吐量的印刷技术来经济高效地生产电子电路和背板。通过结合传统光刻步骤和直接凹版印刷的混合方法，在第一代（Gen1）规模和50像素/英寸（ppi）分辨率下，实现了薄膜晶体管（TFT）阵列层面超过2平方厘米/伏秒（cm2/Vs）的性能，该性能与旋涂法相当。

    关键词： 有源矩阵背板、有机半导体、凹版印刷、印刷薄膜晶体管

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 通过活性酯功能化的六苯并蒄在场效应晶体管中区分伯胺、仲胺与叔胺

    摘要： 本文报道了两种新型己苯并苝（HBP）酯基功能化衍生物。单晶结构中，乙酸甲酯功能化的HBP（1）自组装形成超分子纳米片，其二维π堆叠的HBP夹在两层酯基之间?；谙嗤宰樽澳Ｊ?，活性酯功能化的HBP（2）在场效应晶体管中实现了叔胺与伯/仲胺的区分，这与活性酯仅与伯/仲胺反应生成酰胺而不与叔胺反应的特性相符。

    关键词： 传感器、有机场效应晶体管、有机半导体、自组装、芳烃

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 无序有机半导体中的输运模型及其在薄膜晶体管模拟中的应用

    摘要： 相关的有机薄膜晶体管（OTFT）仿真软件必须考虑有机半导体（OSC）在自由载流子态密度、传输机制以及器件接触端的注入/收集特性方面的主要特殊性。在影响OTFT性能的诸多参数中，载流子迁移率是关键指标。常规从电流-电压（I-V）测量中提取迁移率的方法仅能获得表观（或有效）迁移率。该表观迁移率的数值与有机半导体本征沟道迁移率存在差异。尽管这种有效迁移率实际决定了给定器件的主要性能表现，因而提供了极具价值的技术基准，但它并未描述有机半导体材料的本征传输特性，甚至可能在改进OTFT制备工艺的路径上产生误导。若要通过OTFT电学表征更深入理解有机半导体的传输特性，在OTFT I-V仿真软件中实施适当的物理迁移率模型是有效途径。本文综述了可应用于OTFT仿真软件的载流子迁移率模型，重点聚焦于考虑无序有机半导体中迁移率随温度、载流子浓度及电场变化的解析型与半解析型物理模型。

    关键词： 移动性、运输、建模、有机半导体、有机薄膜晶体管（OTFT）

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 研究有机或混合半导体加工过程中光致发光与吸收原位演变的实验装置设置

    摘要： 原位测量技术在有机半导体或混合钙钛矿等新型半导体的溶液加工过程中应用日益重要，有助于理解其成膜机制。该背景下，测定光学特性（即光致发光PL与吸收）在加工过程中的演变至关重要。然而迄今为止，PL与吸收研究多相互独立，极大限制了对成膜动力学潜在机理的认知。为此我们开发了一套检测系统，可在目标薄膜溶液加工过程中同步测量完整吸收光谱与PL光谱。同时配套设计了可连接该检测系统的旋涂仪，能调控薄膜加工基底的实时温度。通过采用经典共轭聚合物P3HT进行旋涂测试验证了该技术潜力：通过关联吸收与对应PL数据，我们提取出加工过程中的PL量子产率（PLQY），发现其随基底温度升高而降低；此外在聚集过程起始前观测到显著的PL红移现象，揭示了固态薄膜形成前分子链平面化的重要性。

    关键词： 光致发光、原位测量、有机半导体、混合钙钛矿、旋涂法、成膜过程、吸收光谱、P3HT

    更新于2025-09-23 15:21:21