- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
高压再生长非极性m面垂直p-n二极管：迈向未来选区掺杂功率开关的一步
摘要： 我们报道了在独立GaN衬底上生长的高压再生非极性m面p-n二极管。二次离子质谱(SIMS)测量显示再生界面处存在O和Si浓度尖峰，最大浓度约5×101? cm?3，与先前发表的c面研究结果相似。再生二极管获得540V高阻断电压（对应电流密度~1 mA/cm2，电场强度E~3.35 MV/cm）、2.9-3.1V开启电压、300 A/cm2电流密度下1.7 mΩ·cm2比导通电阻及最小理想因子1.7。结果表明：虽然正向偏置漏电流受影响，但m面p-n二极管冶金结处Si、O和C界面杂质水平分别达2×101? cm?3、8×101? cm?3和1×101? cm?3时，反向偏置不会导致极早击穿。同时研究了生长中断/再生对二极管性能的影响。
关键词： 选择性区域掺杂、氮化镓、比导通电阻、杂质掺入、雪崩击穿、漏电流、理想因子、非极性、二次离子质谱法、垂直p-n二极管
更新于2025-09-23 15:22:29
-
通过仿真研究横向宽度变化的LDMOS器件导通态行为
摘要： 本文主要围绕横向变宽（VLW）LDMOS器件的导通特性展开研究。通过三维数值分析探究了该器件的比导通电阻，仿真结果与结合器件尺寸的解析计算结果高度吻合，为未来器件设计提供了理论依据。随后采用三维热电耦合仿真对比了氧化硅（SOI）衬底与碳化硅（SiC）衬底VLW结构的自热效应。电学特性和温度分布表明：采用SiC衬底能有效缓解自热损耗，减轻自热效应并提升器件可靠性。
关键词： 自加热效应、比导通电阻、绝缘体上硅（SOI）、横向双扩散金属氧化物半导体晶体管（LDMOS）
更新于2025-09-23 15:21:01
-
全垂直GaN-on-Si功率MOSFET
摘要： 我们首次报道了在6英寸硅衬底上通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长6.6微米厚氮化镓（GaN）基础上，实现全垂直功率MOSFET的成果。研究团队开发出基于选择性局部去除硅衬底及高阻GaN缓冲层的稳健制备工艺，随后通过电镀在背面共形沉积35微米厚铜层，为漏极提供优异的机械稳定性与电接触。通过优化栅极沟槽制备工艺，显著提升了p-GaN沟道有效迁移率与器件输出电流。所研制的高性能全垂直GaN-on-Si MOSFET具有5 mΩ·cm2的低比导通电阻（Ron,sp）和520 V的高耐压值，这一成果标志着在低成本硅衬底上实现高性能GaN垂直功率器件取得重要突破。
关键词： 功率器件、氮化镓、低导通电阻、比导通电阻、硅基氮化镓、全垂直结构、MOSFET、垂直结构、高击穿电压
更新于2025-09-23 08:03:18
-
[2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 美国佐治亚州亚特兰大市(2018.10.31-2018.11.2)] 2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 具有厚沟槽底部氧化层的1.2 kV 4H-SiC沟槽栅MOSFET分析
摘要： 对额定电压1.2kV、具有厚沟槽底部氧化层的碳化硅功率沟槽MOSFET进行分析，并与先前沟槽栅碳化硅功率MOSFET结构进行对比。通过数值模拟提取了沟槽底部氧化层厚度在500?至8000?范围内的比导通电阻(Ron,sp)、击穿电压(BV)、阈值电压(VTH)、栅漏电容(Cgd,sp)和栅极电荷(Qgd)。研究发现当氧化层厚度超过4000?时，沟槽底部氧化层中的电场强度低于4MV/cm。本文提出解析模型用于估算沟槽底部氧化层中的电场强度。该厚底部氧化层结构的比导通电阻为1.9mΩ·cm2（Vgs=20V时），Cgd,sp（Vds=1000V时）为417pF/cm2，Qgd,sp（Vgs=20V、Rg=10Ω、Vds=800V时）为671nC/cm2，显著优于大多数平面栅器件。与先前沟槽栅和平面栅结构相比，该结构具有更优异的比导通电阻特性。
关键词： 碳化硅、反向传输电容、比导通电阻、栅极电荷、沟槽底部氧化层、击穿电压、阈值电压、沟槽栅MOSFET（UMOSFET）
更新于2025-09-04 15:30:14