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oe1(光电查) - 科学论文

6 条数据
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  • [IEEE 2018国际柔性电子技术会议（IFETC）- 加拿大安大略省渥太华（2018年8月7日至9日）] 2018国际柔性电子技术会议（IFETC）- 采用InGaZnO薄膜晶体管的高速可编程环形振荡器

    摘要： 本文提出了一种采用铟镓锌氧化物薄膜晶体管（IGZO TFTs）的高速数字可编程环形振荡器（RO）。与采用负偏斜方案的传统环形振荡器相比，所提出的电路通过提前导通/关断晶体管来减小每个反相器的延迟，从而确保了更高的速度。此外，通过数字控制位调节每个反相器的负载电容，实现了振荡频率的可编程性。在相同条件下，将所提出的环形振荡器性能与两种传统设计进行了对比。仿真结果表明，在相同条件下，该电路的振荡频率（283 KHz）高于传统设计（76.52 KHz和144.9 KHz）。由于具有可编程特性，该电路能够根据三个数字控制位生成8个不同的线性间隔频率（范围从241.2 KHz到283 KHz），并几乎实现轨对轨电压摆幅。该电路可作为许多实际柔性系统中的片上时钟发生器，例如需要多频率的智能包装、可穿戴设备、RFID和显示器等。

    关键词： 负偏斜和轨到轨逻辑，高速可编程环形振荡器，氧化物薄膜晶体管

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 亚0.2微米沟道长度氧化物薄膜晶体管的纳米流变印刷技术

    摘要： 将全溶液法制备的氧化物薄膜晶体管（TFT）沟道长度缩小至纳米级是实现物联网技术下一代器件的关键。本研究采用新开发的纳米流变印刷（nRP）技术，制备出沟道长度仅160纳米的氧化物TFT，远超当前直接印刷技术的工艺极限。该器件开/关电流比约10^7，亚阈值电压1.7伏，迟滞效应0伏，场效应迁移率0.16平方厘米每伏每秒。实现亚微米沟道印刷TFT的核心在于采用新型非晶La-Ru-O材料作为源/漏电极图案——该材料在纳米尺度兼具良好导电性与优异nRP特性。传统印刷方法无法制备如此短沟道TFT，因此本技术对实现低成本、大面积、环保型新一代印刷电子器件具有重要价值。

    关键词： 纳米流变印刷、热压印、印刷电子、溶液法工艺、氧化物薄膜晶体管

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • （特邀）低温水溶液法制备氧化物薄膜晶体管技术

    摘要： 氧化物半导体的溶液加工技术是实现氧化物薄膜晶体管（TFT）简单低成本制备的有前景方法。我们通过将氢注入氧化（HIO）工艺应用于高性能低温氧化物TFT的制备，展示了改进的TFT特性。当HIO方法应用于溶液加工的金属氧化物TFT时，该技术对柔性基板的兼容性也得到了验证。

    关键词： 溶液加工、柔性衬底、低温制备、氧化物薄膜晶体管、氢注入与氧化

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 采用近场电液动力喷射打印技术制备的ZTO薄膜晶体管的电学特性

    摘要： 通过电液动力（EHD）喷射系统针尖周围的近场作用制备了氧化锌锡（ZTO）薄膜并进行表征。近场辅助EHD（NF-EHD）喷射获得了椭圆形多液滴。针尖与近场之间约2.5至3伏的电压差优化条件使氧化物半导体溶液得以正常喷射。ZTO薄膜晶体管的电学性能显示迁移率为2.96 cm2/Vs，开关比为10?，阈值电压为4.40 V，亚阈值摆幅为0.54 V/dec。在EHD喷射系统中施加近场后，观察到偏置应力下稳定性提高及应力后的弛豫改善。

    关键词： 氧化物薄膜晶体管，电流体动力学喷射，近场，喷涂，电学性能

    更新于2025-09-23 05:33:47

  • [IEEE 2019国际能源与可持续发展会议(IESC) - 美国纽约州法明代尔(2019.10.17-2019.10.18)] 2019国际能源与可持续发展会议(IESC) - 微电网中光伏能源实施方法论

    摘要： 本文提出了一种用于有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）显示的新型高精度电压编程像素电路。该像素电路由三个薄膜晶体管（TFT）和一个存储电容组成，在相同像素尺寸下分别采用非晶硅（a-Si）和铟镓锌氧化物（a-IGZO）TFT技术实现以进行公平对比?；赼-Si的设计仿真结果表明：在90秒编程时间内，该像素电路能几乎无误差地补偿驱动TFT的3V阈值电压（Vth）漂移。相比之下，尽管基于a-IGZO的像素电路已证实具有三倍更高的速度，但其电流误差较大（约8%）。

    关键词： 有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）、补偿、氧化物薄膜晶体管（TFT）、非晶硅（a-Si）

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 具有整体式液态金属互连的可拉伸氧化物薄膜晶体管有源矩阵

    摘要： 我们展示了一种制造可拉伸氧化物薄膜晶体管（TFT）有源矩阵的新工艺方案，其中TFT与刚性岛上的两层金属交叉点通过基于光刻技术（兼容传统柔性电路工艺）的液态金属互连，在弹性体基质中实现单片集成。由于该液态金属互连技术能提供高集成密度和机械耐久性，符合可拉伸显示器或电子皮肤的需求。我们在20×20平方毫米区域内制备了4×4的氧化物TFT有源矩阵，该矩阵在40%拉伸应变下仍能稳定工作。

    关键词： 液态金属互连、氧化物薄膜晶体管、有源矩阵、光刻技术、可拉伸电子器件

    更新于2025-09-04 15:30:14