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oe1(光电查) - 科学论文

27 条数据
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  • [IEEE 2019年第五届电气工程进展国际会议(ICAEE) - 孟加拉国达卡 (2019.9.26-2019.9.28)] 2019年第五届电气工程进展国际会议(ICAEE) - 并网光伏系统无变压器逆变器拓扑结构比较研究

    摘要： 研究人员提出了一种电感耦合非接触式直流连接器，用于数据中心下一代380V直流配电系统。该方案采用氮化镓(GaN)功率晶体管的LLC谐振直流-直流转换器拓扑结构，实现了短距离高效非接触式电能传输。实验团队制作了1.2千瓦/384-192V原型连接器，在1000kHz工作频率下实测转换效率超过95%，功率密度达到8.1W/cm3。通过综合考虑GaN功率器件特性与变压器磁芯材料参数，设计分析表明该连接器有望实现10.0W/cm3的更高功率密度。这种非接触式直流连接器将隔离型直流-直流转换功能集成于连接器本体以节省空间，且基于电感耦合特性可在无电弧情况下切断直流电流。该创新设计有助于构建高效、紧凑且可靠的未来380V直流配电系统。

    关键词： 非接触式供电、直流-直流电源转换器、直流配电、氮化镓（GaN）

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2017年IEEE第44届光伏专家会议（PVSC）- 华盛顿特区（2017年6月25日-6月30日）] 2017年IEEE第44届光伏专家会议（PVSC）- 钙钛矿/硅叠层电池的表征与重新设计

    摘要： 针对数据中心下一代380V直流配电系统，研究人员提出了一种感应耦合式非接触直流连接器。该方案采用氮化镓(GaN)功率晶体管的LLC谐振直流-直流变换器拓扑结构，实现了短距离高效非接触电能传输。实验团队制作了1.2千瓦384至192V原型连接器，在1000kHz工作频率下实测转换效率超过95%，功率密度达8.1W/cm3。通过综合考虑GaN功率器件特性与变压器磁芯材料参数，设计分析表明该结构具备实现10.0W/cm3功率密度的潜力。这种非接触直流连接器将隔离式直流-直流变换器功能集成于连接器本体以节省空间，且基于感应耦合原理可在无电弧情况下切断直流电流。该创新设计有助于构建高效、紧凑且可靠的未来380V直流配电系统。

    关键词： 直流配电、非接触式供电、直流-直流电源转换器、氮化镓（GaN）

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 采用感应耦合等离子体(ICP)优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面刻蚀工艺及器件特性

    摘要： 本研究全面探究了采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术对准垂直氮化镓（GaN）肖特基势垒二极管（SBD）台面刻蚀的优化方案，包括刻蚀掩模选择、ICP功率、射频（RF）功率、混合气体比例、流量及腔室压力等参数。特别地，通过结合ICP干法刻蚀与四甲基氢氧化铵（TMAH）湿法处理，消除了台面侧壁底部拐角处的微沟槽。最终利用优化后的刻蚀工艺实现了高各向异性的台面侧壁形貌，并制备出准垂直GaN SBD，在-10V反向偏压下获得10?? A/cm2的低反向电流密度。

    关键词： 准垂直、电感耦合等离子体（ICP）、氮化镓（GaN）、干法刻蚀、侧壁轮廓、台面结构、肖特基势垒二极管（SBD）

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • X射线吸收光谱揭示的Al2O3/GaN界面GaN侧局域原子结构

    摘要： 通过检测源自镓K壳层吸收的Ga LMM俄歇电子，采用表面敏感的镓K边扩展X射线吸收精细结构光谱技术，研究了栅极绝缘体（Al2O3）与半导体（GaN）之间的界面。该GaN侧界面研究是在通过原子层沉积形成的Al2O3薄膜上进行的。确定的原子结构揭示了由于氮退火导致的GaN晶体变化和Ga-O键的形成。

    关键词： 氧化铝（Al2O3）、界面、沉积后退火（PDA）、氮化镓（GaN）、扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）、原子层沉积（ALD）

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2018年IEEE第七届世界光伏能源转换大会(WCPEC)（第45届IEEE光伏专家会议、第28届光伏科学与工程会议及第34届欧洲光伏专家会议联合会议）- 美国夏威夷威科洛亚村（2018年6月10日-15日）] 2018年IEEE第七届世界光伏能源转换大会(WCPEC)（第45届IEEE光伏专家会议、第28届光伏科学与工程会议及第34届欧洲光伏专家会议联合会议）- 氮化镓/硅纳米异质结构阵列器件的光电特性

    摘要： 采用化学气相沉积（CVD）法，以硅纳米多孔柱阵列（Si-NPA）功能衬底合成了氮化镓/硅纳米异质结构阵列。制备了n型氮化镓纳米柱/p型硅纳米晶纳米异质结阵列太阳能电池，其中氮化镓纳米柱沿[0001]晶向生长。该器件在300-1200 nm波长范围内平均积分反射率约为4.79%。该太阳能电池开路电压（Voc）为0.82 V，短路电流密度（Jsc）为23.21 mA/cm2，填充因子（FF）为38.3%，最大光电转换效率达7.29%。该研究为光伏领域大规模制备纳米异质结提供了新思路。

    关键词： 太阳能电池，氮化镓（GaN），纳米异质结构阵列，硅纳米多孔柱阵列（Si-NPA）

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 基于宽禁带材料的半导体功率器件研究进展概述

    摘要： 宽禁带材料因其优异的物理特性（如更高的热导率和卓越的电学性能）引起了科学家和工程师的广泛关注。目前，基于宽禁带材料的半导体功率器件研究已取得重大进展。新开发的WBG（宽禁带）功率器件——例如1200V直驱碳化硅JFET功率开关和高可靠性的氮化镓MOS HFET——相比传统硅基功率器件展现出更优的性能与优势。这些功率器件通过成功商业化已广泛应用于多个领域，其可靠性与有效性得到了充分验证。WBG功率器件的应用显著提升了电路性能，推动了新一代电子产品的演进。本文重点介绍几种基于宽禁带材料（包括氮化镓、IGBT、JFET、MOSFET、整流器及其碳化硅对应器件）的功率器件最新研究进展与成果，分别探讨并比较它们的特性、性能及相应应用场景，随后阐述这些器件存在的缺陷与局限及相应的解决方案，最后分析宽禁带功率器件未来的发展趋势与前景。

    关键词： 整流器、氮化镓（GaN）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、宽禁带材料、碳化硅（SiC）、结型场效应晶体管（JFET）、半导体功率器件

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 用于表面增强拉曼光谱的纳米结构氮化镓传感器

    摘要： 本通信旨在阐述基于氮化镓（GaN）平台通过表面增强拉曼散射（SERS）技术实现生物与化学制剂痕量检测与鉴定的应用范围。简要介绍了用于SERS应用的氮化镓表面纳米结构化方法，并展示了采用SERS方法分析芬太尼和萎缩芽孢杆菌孢子的结果。最后总结了相关论据，论证了基于氮化镓平台作为SERS传感器具有普适性特征。

    关键词： 表面增强拉曼散射（SERS）、氮化镓（GaN）、热点（Hot-spots）、纳米结构（Nanostructure）

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • [IEEE 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 西班牙马德里(2018年9月26日-2018年9月28日)] 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 基于氮化镓和硅锗多功能芯片的全阵列栅格兼容宽带收发多路复用器

    摘要： 用于多功能有源相控阵（AESA）系统的下一代射频传感器?？?，需在同一天线前端集成雷达、电子战及通信/数据链等不同工作模式。其典型工作频段覆盖C波段、X波段和Ku波段，要求带宽超过10GHz。实现现代有源电扫天线（AESA）时，收发（Tx/Rx）?？楸匦敕霞负卧际跫舛晕蠢炊喙δ苌淦荡衅髂？榈闹饕粽皆谟冢鹤罡咂德恃苌陌氩ǔふじ裥枨螅约八嬷奈拚ぐ晔映∫?。突破这一几何限制的关键在于：通过"高层级"集成将单芯片射频功能整合至采用SiGe和GaN技术制造的新型多功能MMIC中，从而减小整体MMIC芯片面积。此外，采用Tx/Rx多通道组件替代单通道Tx/Rx?？椋山徊剿跫跬ǖ揽矶?。

    关键词： 多功能、宽带、氮化镓（GaN）、收发?？?、锗硅（SiGe）

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 基于GaN的GITs和HD-GITs中的热电子俘获与空穴诱导去俘获

    摘要： 本文研究了无p漏极电极和有p漏极电极的栅极注入晶体管（GITs与混合漏极嵌入式GITs，简称HD-GITs）中的陷阱机制，这两种器件分别用于注入空穴以降低电荷俘获效应。我们对比了两种器件在关态和半开态下的表现，探究热电子对电荷俘获的促进作用。分析基于脉冲特性测试、瞬态测量及电致发光（EL）表征的综合结果，得出以下关键结论：1）当关态下诱发陷阱时，GITs与HD-GITs具有相当且可忽略的动态导通电阻（RON）；半开态条件下GITs出现显著动态RON上升，而HD-GITs相较关态未呈现额外陷阱效应；2）半开态下持续至VDS=500V的EL表征显示特征相似，表明两者的电场强度与热载流子密度相近，由此推断两组样品的热电子俘获速率相同，动态RON差异应源于不同的去俘获速率；3）瞬态RON测量证实关态填充的陷阱与半开态热电子填充的陷阱相同（激活能Ea=0.8eV，可能为碳氮复合体CN）；4）恒定偏压下的EL分析显示，GITs在VDS=300V偏置时漏极端发光信号随时间增强——该热电子俘获特征在HD-GITs中未观测到?；谑笛橹ぞ荩颐堑贸鼋崧郏喊肟翯ITs与HD-GITs的主要差异在于，通过p漏极空穴注入实现了更快的热电子去俘获速率。

    关键词： 门注入晶体管（GITs）、电致发光（EL）、氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）、陷阱效应、热电子

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • [IEEE 2018国际电力电子会议（IPEC-Niigata 2018 - ECCE亚洲） - 日本新潟（2018.5.20-2018.5.24）] 2018国际电力电子会议（IPEC-Niigata 2018 - ECCE亚洲） - 基于氮化镓器件的高频双有源桥变换器设计（输出功率3.7千瓦）

    摘要： 在汽车行业，除成本外，重量和体积也是设计电力电子器件的重要考量因素。随着氮化镓（GaN）等宽禁带器件的兴起，高开关频率为转换器带来了新的可能性。采用高开关频率能显著减小无源元件（如变压器）的体积。电动汽车的辅助电源或车载充电系统是降低体积与重量的典型应用领域。此类应用可采用双有源桥（DAB）等直流-直流转换器。本文详细分析了在400V直流电压下以500kHz高频运行的紧凑型单相双有源桥转换器，该转换器实现了3.7kW的功率传输。研究展示了如何设计一款快速开关、结构紧凑的双有源桥转换器，在额定功率下保持约96%的高效率运行。

    关键词： 氮化镓（GaN）器件、双有源桥转换器、电动汽车、电力电子、高开关频率

    更新于2025-09-09 09:28:46