P-1.13：源极/漏极材料对氧化物半导体薄膜晶体管的影响

摘要： 随着技术进步，为降低显示面板的负载，一些研究人员已开展关于源/漏电极对a-IGZO基薄膜晶体管性能影响的研究。本文选用氧化铟镓锌（IGZO）作为有源层材料，采用四种不同类型的源/漏材料——包括氧化铟锡（ITO）、铝（Al）、铝掺杂氧化锌（AZO）和镓掺杂氧化锌（GZO）——来探究不同源/漏材料对氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）特性的影响。结果表明，以AZO作为源/漏电极的TFT展现出优良特性。经过200℃退火后，采用AZO源/漏电极的TFT输出特性更佳且其源/漏串联电阻较低。本研究认为AZO有望成为未来显示技术中可应用的源/漏材料。