研究目的
研究不同源/漏极材料对氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)特性的影响,并寻找具有更优性能的电极材料。
研究成果
AZO适合作为IGZO TFT的源/漏极材料,在退火后展现出良好的电学特性和更低的串联电阻,有望成为未来显示技术中的一种有前景的材料。
研究不足
本研究仅限于评估四种特定源/漏材料(AZO、ITO、Al、GZO)及其对IGZO TFT的影响。铝源/漏TFT的应用受限于铝的不透明性。
研究目的
研究不同源/漏极材料对氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)特性的影响,并寻找具有更优性能的电极材料。
研究成果
AZO适合作为IGZO TFT的源/漏极材料,在退火后展现出良好的电学特性和更低的串联电阻,有望成为未来显示技术中的一种有前景的材料。
研究不足
本研究仅限于评估四种特定源/漏材料(AZO、ITO、Al、GZO)及其对IGZO TFT的影响。铝源/漏TFT的应用受限于铝的不透明性。
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