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利用扩展脉冲准分子激光提高4H-SiC中铝的激光掺杂深度
摘要： 研究了通过向沉积在4H-SiC表面的铝膜照射脉宽展宽的准分子激光来实现4H-SiC的铝掺杂。构建了光学脉冲展宽器，产生的激光脉冲峰值强度降至原脉冲的一半，脉宽从55纳秒扩展至100纳秒。研究发现，展宽脉冲的照射能减少材料表面烧蚀并允许多次脉冲照射，从而使铝掺杂深度显著增加。多次展宽脉冲照射还能降低对激光强度空间不均匀性的敏感性，并提高掺杂区域的均匀性。
关键词： 准分子激光器、p型碳化硅、铝掺杂、碳化硅、激光掺杂、光学脉冲展宽器
更新于2025-09-16 10:30:52
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AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 摩洛哥非斯（2019年3月25-27日）] 第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 用于p型c-Si PERL太阳能电池背面钝化与接触的内联沉积PassDop层（具有高双面性）
摘要： 我们研究了氧化铝（Al2O3）和掺硼氮化硅（SiNX:B）叠层在p型硅太阳能电池背面钝化及局部掺杂中的应用，旨在实现双面钝化发射极与背面局部扩散（biPERL）太阳能电池。通过激光掺杂形成局部p+掺杂背面场区域，并采用市售丝网印刷烧结银铝（AgAl）或银（Ag）接触实现电学连接。该方法称为"pPassDop"。激光掺杂可产生方阻低至15 Ω/□、表面掺杂浓度高达6×1019 cm-3的高浓度掺杂硅。测得丝网印刷烧结AgAl和Ag接触的比接触电阻分别约为1 mΩ·cm2和5 mΩ·cm2。此外，还研究了pPassDop叠层中各独立层对掺杂特性的影响。为区分铝和硼掺杂的影响，首先研究了SiNX:B盖层下方Al2O3层厚度（0 nm、4 nm、6 nm）的作用；其次在6 nm厚Al2O3层上施加常规未掺杂SiNX盖层。通过测量掺杂分布和接触电阻率来研究各掺杂剂的作用。
关键词： SiNX:B，激光掺杂，双面PERL太阳能电池，pPassDop，Al2O3
更新于2025-09-12 10:27:22
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[2018年IEEE核科学研讨会与医学成像会议（NSS/MIC） - 澳大利亚悉尼（2018.11.10-2018.11.17）] 2018年IEEE核科学研讨会与医学成像会议论文集（NSS/MIC） - 同步辐射XPS揭示CdTe二极管探测器中的激光掺杂层
摘要： 采用650电子伏特同步辐射X射线光电子能谱(XPS)研究了激光诱导掺杂技术制备的CdTe二极管型X/γ射线探测器改性表面。预涂铟掺杂膜的半绝缘(111)取向类p型CdTe单晶经YAG:Nd激光(λ=1064 nm)纳秒脉冲辐照。通过从铟侧或透过对该波长透明的半导体对金属化样品进行激光辐照，实现了In/CdTe界面激活与掺杂。前者归因于激光诱导应力波和冲击波将铟原子掺入CdTe表层；后者则因激光辐射被沉积的薄层铟掺杂膜强烈吸收，且CdTe溶于熔融铟中，从而直接作用于In/CdTe界面?；陔怖胱咏ι浜笮纬傻腎n/CdTe二极管结构XPS谱中高分辨In 3d和Cd 3d峰，分析了铟镉原子深度分布及界面化学键合状态，解析了改性CdTe层的化学计量比与电子结构转变。所制备In/CdTe/Au二极管的整流特性源于激光诱导固相或液相掺杂形成的富铟亚微米层——分别取决于从金属化侧或半导体侧辐照In/CdTe结构。该In/CdTe/Au二极管在X/γ射线探测应用方面展现出良好前景。
关键词： 激光掺杂、X射线光电子能谱、同步辐射、碲化镉晶体、p-n结
更新于2025-09-11 14:15:04
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基于激光诱导p-n结的高性能WSe2光电探测器
摘要： 二维（2D）异质结在纳米电子和光电器件中展现出诸多独特特性。然而异质结工程需要复杂的对准工艺，且材料制备过程中难免会引入缺陷。本研究采用激光扫描技术构建横向WSe2 p-n结。激光扫描区域呈现p型特性，在适当栅压下相邻区域呈现电学n型掺杂。研究发现激光氧化产物WOx是造成这种p型掺杂的原因。经激光扫描后，WSe2从双极特性转变为单极p型特性。p-n结处产生显著光电流，因此可基于该结制备自供电WSe2光电探测器，其展现出高达106的光开关比、800 mA W-1的高光电响应度以及短光响应时间，且具有长期稳定性和可重复性。这种选择性激光掺杂方法在未来电子应用中具有广阔前景。
关键词： 光电探测器，p-n结，激光掺杂，二硒化钨，氧化产物
更新于2025-09-11 14:15:04