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金属氧化物薄膜沉积的新型火花法：六方氧化钨的沉积
摘要： 采用新型火花沉积系统在氧化铟锡（ITO）基底上生长六方三氧化钨（WO3）层。研究了沉积时间、基底温度以及腔室氧气（O2）流速对薄膜结构形貌特征及电化学响应的影响。结果表明：当沉积温度为400°C且腔室O2流速为60 mL/min时，可获得结晶性改善且具有高效电化学/电致变色响应的六方WO3。
关键词： 三氧化钨，火花法沉积，电化学响应
更新于2025-09-23 15:23:52