均匀掺杂多数载流子半导体样品中的产生-复合电压噪声谱

摘要： 推导了均匀掺杂多数载流子n型半导体样品中由产生-复合(G-R)速率涨落引起的电压噪声谱公式。在公式推导过程中，采用欧姆边界条件获得物理合理的结果，对先前发表的公式进行了修正和扩展。研究表明，在高电场区域G-R电压噪声谱会出现饱和现象，这是G-R噪声的特征标志。此外，基于δ函数型粒子源发展并计算了电子密度涨落，结果表明：随着电场增强，强漂移速度作用会使电子密度涨落分布呈现显著不对称性，且δ函数源位置处的电子密度涨落峰值降低，从而导致高电场下G-R噪声电压谱出现饱和。