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均匀掺杂多数载流子半导体样品中的产生-复合电压噪声谱

DOI：10.1063/1.5044699 期刊：Journal of Applied Physics 出版年份：2018 更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要： 推导了均匀掺杂多数载流子n型半导体样品中由产生-复合(G-R)速率涨落引起的电压噪声谱公式。在公式推导过程中，采用欧姆边界条件获得物理合理的结果，对先前发表的公式进行了修正和扩展。研究表明，在高电场区域G-R电压噪声谱会出现饱和现象，这是G-R噪声的特征标志。此外，基于δ函数型粒子源发展并计算了电子密度涨落，结果表明：随着电场增强，强漂移速度作用会使电子密度涨落分布呈现显著不对称性，且δ函数源位置处的电子密度涨落峰值降低，从而导致高电场下G-R噪声电压谱出现饱和。
作者： Chan Hyeong Park，In-Young Chung
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研究概述 实验方案

研究目的

研究均匀掺杂多数载流子n型半导体样品中的产生-复合（G-R）电压噪声谱及其与电场的依赖关系。

研究成果

该研究提出了均匀掺杂n型半导体样品中G-R电压噪声谱的修正和扩展公式，展示了高电场下噪声谱的饱和现象。随着电场增强，电子密度涨落呈现不对称性，从而导致G-R噪声电压谱饱和。这些发现为更复杂半导体器件中G-R噪声的进一步研究奠定了基础。

研究不足

该研究假设电子迁移率和扩散系数恒定，忽略了高电场区域中的速度饱和效应和热电子效应。该模型是理想化的，可能无法完全捕捉这些效应显著的真实半导体样品中的行为。

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