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oe1(光电查) - 科学论文

8 条数据
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  • X射线和电子辐照下镁铝尖晶石中色心形成与热恢复

    摘要： 我们通过X射线和电子辐照（近室温条件）研究了镁铝尖晶石（MgAl2O4）中色心的形成。实验采用Cu Kα辐射及三种电子能量（1.0、1.4和2.5 MeV），辐照注量范围至4.2×10^18 cm^-2。电子辐照后分别于室温及最低27 K低温条件下进行了离线紫外-可见吸收光谱测试。F心（氧空位）产生率随电子能量的变化表明：室温下氧原子的位移阈能为190±10 eV，该数值显著高于分子动力学模拟结果?；诩饩械闳毕萸ㄒ频南钟惺荩颐嵌哉庖徊钜旖辛颂致?。高电子注量条件下，中性（VO^x）与单电离（VO^·）氧空位（即F0与F+心）达到均分状态。此外，色心吸收带宽度随温度的变化规律可通过碱金属卤化物中F心（中性卤素空位）的经典理论进行解释。参照碱金属卤化物与碱土金属氧化物的研究方法，我们从色心吸收带宽度的温度依赖性推导出斯托克斯位移。最后，长时间等温退火数据显示F0与F+心均呈现非零渐近行为，这种特殊现象被解释为两种色心间电荷交换过程所达成的平衡态。

    关键词： 热回收、X射线辐照、色心、阈值位移能、F心、电子辐照、吸收光谱、镁铝尖晶石

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 电子辐照过程中极紫外金属氧化物纳米颗粒光刻胶释放气体的原位测量

    摘要： 在本研究中，我们制备了包含ZrO2纳米颗粒及三种配体（甲基丙烯酸MAA、异丁酸IBA和乙烯基苯甲酸VBA）的极紫外光刻金属抗蚀剂。通过分别混合各组分制备抗蚀剂，以评估极紫外光刻材料的放气情况。我们涂覆制备了ZrO2-MAA、ZrO2-IBA和ZrO2-VBA三种样品，并采用原位质谱法评估这些样品在2 keV电子辐照过程中的放气行为。质谱分析结果显示，可观察到光致产酸剂(PAG)特有的放气峰，各配体峰则分布在低质量区间。而所有样品的质谱中均未检测到ZrO2峰，由此推测ZrO2纳米颗粒在2 keV电子辐照过程中可能未发生蒸发。

    关键词： 配体、极紫外金属光刻胶、电子辐照、质谱分析、原位脱气测量、氧化锆

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 荧光纳米金刚石 || 制备荧光纳米金刚石

    摘要： 宝石行业中，彩色天然钻石通常被称为花式钻石或彩钻。它们稀有而美丽，在珠宝市场上部分甚至标价惊人。相比之下，微米和纳米级钻石粉末无论是否带色或荧光，价格都较为低廉。自古以来，这些粉末主要因其卓越的硬度被用作研磨和抛光磨料。几个世纪以来，人们几乎未关注纳米钻石的其他特性，如与生俱来的生物相容性和发光能力。2005年荧光纳米钻石（FND）的发明彻底改变了这一领域，开创了钻石研发的新方向。过去十年对FND的实验表明，表面功能化的FND在物理、化学、生物和医学等多元领域展现出各种应用前景。值得注意的是，正如玛丽·居里发现镭元素（第3.2节）那样，FND堪称"居里夫人的宝石"，当之无愧是科学家的最佳伙伴。

    关键词： 荧光纳米金刚石、磁调制荧光、荧光寿命、尺寸减小、FND、离子辐照、H3色心、氮空位色心、电子辐照、NV色心

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 控制纳米金刚石中氮空位中心的荧光特性

    摘要： 控制纳米金刚石中氮空位中心的荧光特性是其应用于医学和传感器领域的重要因素。然而，目前深入解析这些特性潜在影响因素的研究报道较少，且仅聚焦于少数几个因素。本研究针对该问题，系统考察了电子辐照注量与表面终止条件对纳米金刚石中NV色心荧光特性的影响规律。结果表明：缺陷中心相互作用（特别是不同氮缺陷与辐射诱导晶格缺陷）以及表面官能团等工艺参数，对NV色心的荧光强度、荧光寿命及电荷态比例具有显著调控作用。通过时间相关单光子计数技术，我们建立了快速宏观监测纳米金刚石样品荧光特性的方法。研究发现，通过调控辐射处理工艺、退火处理及表面终止方式，可实现NV色心荧光特性的定向调控甚至精确调谐。

    关键词： 荧光寿命、电荷态比、纳米金刚石、表面终止、氮空位中心、荧光特性、电子辐照

    更新于2025-09-22 13:52:01

  • 掺铜SnO<sub>2</sub>磷光体的结构、形貌及6 MeV能量电子辐射剂量学特性。

    摘要： 通过一步简单水热法成功合成了掺铜二氧化锡（SnO2:Cu）纳米荧光粉（NP），采用X射线衍射（XRD）进行结构表征、场发射扫描电镜（FESEM）进行形貌分析、能谱仪（EDS）进行元素成分测定。样品经700°C退火2小时后，XRD证实其具有四方晶相结晶性。未退火与退火样品的晶粒尺寸分别通过谢乐公式计算为~10.39 nm和~18.16 nm，颗粒尺寸估算约43 nm，EDS检测获得Sn、O、Cu元素组成。为研究剂量学特性，将SnO2:Cu荧光粉置于10×10^11 e/cm^2至20×10^12 e/cm^2（相当于1.55 kGy至31 kGy）的6 MeV电子束辐照，辐照样品在170°C、263°C和303°C呈现热释光（TL）剂量响应峰。该纳米荧光粉对高能电子表现出足够灵敏度，且TL剂量响应在10×10^12 e/cm^2（15.50 kGy）范围内保持敏感，两个月内衰减仅5.1%。因此SnO2:Cu可用于电子剂量测量。

    关键词： 水热法、电子辐照、热释光、二氧化锡

    更新于2025-09-23 02:51:32

  • 材料中的辐射效应 || 电子辐照对某些掺杂光纤吸收和荧光特性的影响

    摘要： 本文综述了近期关于高能（β）电子束辐照掺杂稀土和金属的硅基光纤效应的研究。重点探讨此类光纤在电子辐照下衰减光谱的变化，一方面有助于揭示相关现象的本质规律，另一方面可归纳出使其适用于剂量测定、空间技术等领域的特征。本研究选取的典型光纤包括：镱（Yb）和铈（Ce）（稀土元素代表）以及铋（Bi）（后过渡金属代表）掺杂光纤，这些材料能呈现丰富多样的电子辐照效应。

    关键词： 光学漂白、光致暗化、掺铈和铋的二氧化硅光纤、电子辐照、镱

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 利用温度依赖性光致发光测量分析1兆电子伏特电子辐照对三结太阳能电池锗底电池性能退化的影响

    摘要： 测量了未辐照和经1 MeV电子辐照的三结太阳能电池锗底电池在10-300 K温度范围内的温度依赖性光致发光光谱。未辐照锗底电池的光谱显示，光致发光强度随温度升高而增强，但在约250 K处因本征缺陷略有下降。而辐照锗底电池的光谱表明，由于辐射诱导缺陷Ec-0.37 eV和Ec-0.12 eV的存在，出现了两个负热猝灭过程（10-90 K和200-270 K）以及两个常规热猝灭过程（90-200 K和270-300 K）。

    关键词： 电子辐照、锗底电池、热淬灭、温度依赖性光致发光

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 11.5 MeV和1.0 MeV电子辐照下GaInP顶电池的温度依赖性光致发光过程

    摘要： 通过变温光致发光（PL）测量研究了11.5 MeV电子辐照对GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池中GaInP顶电池的影响。在10 K–270 K温度范围内观察到PL强度的热猝灭现象，这归因于非辐射复合中心H2（Ev + 0.55 eV）空穴陷阱和H3（Ev + 0.76 eV）空穴陷阱。在近300 K处存在轻微的负热猝灭（NTQ）现象，可能与0.18 eV中间态有关。经11.5 MeV电子辐照的GaInP顶电池与经1.0 MeV电子辐照的PL温度依赖过程存在差异。

    关键词： 光致发光、电子辐照、GaInP顶电池、负热猝灭

    更新于2025-09-04 15:30:14