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oe1(光电查) - 科学论文

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出版时间
  • 2019
研究主题
  • A. 银纳米粒子 B. 碳纳米管 E. 原位监测 D. 烧结 F. 电学性能 C. 纳米复合材料
应用领域
  • 复合材料与工程
机构单位
  • Gachon University
90 条数据
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  • 采用近场电液动力喷射打印技术制备的ZTO薄膜晶体管的电学特性

    摘要： 通过电液动力（EHD）喷射系统针尖周围的近场作用制备了氧化锌锡（ZTO）薄膜并进行表征。近场辅助EHD（NF-EHD）喷射获得了椭圆形多液滴。针尖与近场之间约2.5至3伏的电压差优化条件使氧化物半导体溶液得以正常喷射。ZTO薄膜晶体管的电学性能显示迁移率为2.96 cm2/Vs，开关比为10?，阈值电压为4.40 V，亚阈值摆幅为0.54 V/dec。在EHD喷射系统中施加近场后，观察到偏置应力下稳定性提高及应力后的弛豫改善。

    关键词： 氧化物薄膜晶体管，电流体动力学喷射，近场，喷涂，电学性能

    更新于2025-09-23 05:33:47

  • 高质量合成掺硼金刚石单晶及其肖特基势垒二极管的电学特性

    摘要： 研究了通过高温高压法生长的高质量合成硼掺杂金刚石单晶的电阻率和霍尔系数的温度依赖性。通过改变生长混合物中硼的浓度（0.0004-0.04原子百分比），(001)切片的受主浓度在2×101?-3×101? cm?3范围内变化。经X射线形貌术和紫外荧光图谱检测后，采用激光切割出硼浓度均匀且无扩展结构缺陷的薄矩形切片。根据霍尔效应和电容-电压特性数据计算样品中施主与受主浓度。所得结果与生长混合物中硼浓度相关。当生长混合物中硼浓度为0.002原子百分比时，观察到受主与施主的最小补偿比（低于1%）。该比值随硼含量增加或减少而升高。此类硼浓度生长的样品具有最大载流子迁移率（300K时为2200 cm2/(V·s)，180K时为7200 cm2/(V·s)）。在整个温度范围（180-800K）内，空穴的声子散射占主导地位，而点缺陷（中性及电离杂质原子）散射影响甚微。由含0.0005-0.002原子百分比硼的混合物生长、具有完美品质和晶格散射机制的金刚石晶体可视为参考半导体。

    关键词： 肖特基势垒二极管，半导体金刚石，电学性能

    更新于2025-09-23 11:30:24

  • 高能球磨法合成SnSb2Te4微片

    摘要： 本研究表明，高能球磨工艺可在无需表面活性剂和后续退火的情况下合成SnSb2Te4。通过确定球料比（5:1）和球磨时间（2小时）等参数，成功制备出SnSb2Te4微片。采用X射线粉末衍射、扫描电子显微镜和电阻测量对不同球磨时长的粉末进行了表征。

    关键词： 机械合金化、半导体、电学性能

    更新于2025-09-23 20:12:15

  • 热退火纳米晶Ga2O3薄膜的晶体生长与结构-性能优化

    摘要： 评估了热退火对纳米晶Ga2O3薄膜晶体化学性质、结晶过程、折射率、机械性能及电学特性的影响。采用Ga2O3陶瓷靶材在500℃下将Ga2O3薄膜溅射沉积于Si(100)衬底表面，并进行了500-900℃范围内的退火处理。X射线衍射与椭偏仪研究表明，热退火改善了薄膜的结构质量与堆积密度。原子力显微镜分析显示退火温度对表面粗糙度具有显著影响，当退火温度超过700℃时尤为明显。结合结构形态变化特征，在较高温度（800-900℃）退火的Ga2O3薄膜表现出更高的硬度和弹性模量。折射率(n)与消光系数(k)及其色散曲线表明退火温度对光学特性具有强烈影响。由于热退火使结构质量、织构取向和堆积密度逐步优化，折射率值在632nm波长处呈现1.78-1.84的变化范围。研究建立了退火温度与Ga2O3薄膜光学及电学特性之间的关联关系。

    关键词： 机械性能、溅射沉积、退火、电学性能、β-氧化镓薄膜、晶体化学

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [IEEE 2019年首届科学与工程及机器人技术进展国际会议(ICASERT) - 孟加拉国达卡(2019年5月3日至5日)] 2019年首届科学与工程及机器人技术进展国际会议(ICASERT) - 化学气相沉积法制备CdTe薄膜的电学特性及其在太阳能电池中的应用

    摘要： 碲化镉（CdTe）是薄膜太阳能电池应用中极具潜力的吸收层材料。本研究采用近空间升华（CSS）技术在惰性气体环境下，于不同源温和衬底温度条件下在硫化镉（CdS）薄膜上沉积CdTe薄膜。为确定CSS法沉积CdTe薄膜的最佳工艺温度，我们进行了多组实验。沉积过程中腔室压力动态维持在1.5托。通过霍尔效应测试研究了沉积温度对原始CdTe薄膜电学性能的影响。实验分别采用610°C、630°C、650°C和670°C的源温进行沉积，前三组样品呈现p型导电性，而670°C沉积的薄膜表现为n型导电性。原始p型CdTe薄膜的空穴浓度随源温升高呈上升趋势，并在650°C时达到峰值。最低源温下获得的薄膜具有最高空穴迁移率，但CdTe薄膜电阻率随源温升高而增大。因此，650°C沉积的CdTe薄膜展现出更优异的太阳能电池应用电学性能。

    关键词： 太阳能电池、电学性能、近空间升华法、霍尔效应测量、碲化镉薄膜

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 电阻层析成像揭示紫外线辐照对石墨烯基纳米复合薄膜的直接影响

    摘要： 将表面传感元件集成用于复合材料及结构中紫外线诱导降解效应的原位监测，对于其在高辐射等恶劣环境（如太空）中的应用至关重要。本研究采用电阻层析成像技术(ERT)探究了一种新型紫外敏感纳米复合薄膜的电学响应。通过将测量得到的辐照表面电导率变化与扫描电子显微镜(SEM)形貌分析及拉曼显微镜等表面分析技术结果进行对比，发现该纳米复合涂层由石墨烯和脱氧核糖核酸(DNA)组分嵌入聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)基体构成，具有高导电性和紫外敏感性。这些涂层采用航空航天级环氧树脂，通过树脂传递模塑工艺沉积在碳纤维增强层压结构上。实验测试了两种不同辐照条件（纳米复合表面分别暴露于2.6和4.0 mW/cm2的UV-C辐照强度下），结果表明ERT技术对航空航天领域易受UV-C辐射降解的碳基材料及结构具有重大原位健康监测潜力——它能绘制石墨烯/DNA/PEDOT:PSS涂层在辐照过程中表面电导率的变化图谱。

    关键词： 电阻抗断层成像，B. 电学性能，A. 功能复合材料，A. 纳米复合材料

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 用于钙钛矿太阳能电池的室温处理非晶Sn-In-O电子传输层

    摘要： 我们报道了非晶锡铟氧化物（TIO，锡原子占比>50%）薄膜作为钙钛矿太阳能电池（PSCs）新型电子传输层（ETL）的研究。通过在室温下共溅射In2O3和SnO2，在常见透明导电氧化物——结晶铟锡氧化物（ITO，锡原子占比约10%）薄膜上制备了锡原子占比为52%、77%、83%、92%和100%的TIO薄膜。通过光学吸收谱和紫外光电子能谱确定了非晶TIO薄膜的能带结构。所有测试组分均表现出导带边位于ITO与钙钛矿（此处为三碘合甲基铵铅）导带边之间的特征，表明TIO有潜力成为PSCs的可行ETL。评估了基于TIO的PSCs光伏特性，主要得益于最高填充因子和开路电压，经TiCl4处理的77%锡原子占比TIO ETL获得了最优功率转换效率。尽管导带边相似，但填充因子和开路电压随锡原子占比变化而改变，我们将其归因于TIO ETL电阻率的显著变化，这将显著影响分流电阻和/或串联电阻。由于ITO和TIO由相同元素组成，TIO ETL可在腔室内连续生长于ITO透明导电氧化物上，有助于缩短生产时间和降低成本。

    关键词： 钙钛矿太阳能电池，电子传输层，电学性能，锡铟氧化物，能带结构，室温

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 基于石墨烯表面自组装纳米银制备低温烧结高导电油墨；

    摘要： 通过在石墨烯表面自组装制备出更精细的银纳米片，并制得含该银纳米片的低温烧结高导电墨水。最重要的是，在化学还原反应发生前向溶液中添加了石墨烯。首先发现银纳米片在石墨烯表面存在自组装现象；其次制得粒径?。?0纳米）、分布窄且分散性良好的银纳米六角片（AgNHPs），尤其通过该工艺可轻松控制AgNHPs颗粒获得更小尺寸（10纳米）和更窄的粒径分布；最后该墨水导电性优异——例如当印刷图案在150°C烧结时，墨水（GE：0.15克/升）的电阻率达到最小值2.2×10?6 Ω·cm；而在100°C烧结30分钟时电阻率为3.7×10?6 Ω·cm。所制导电墨水可作为喷墨打印油墨用于印刷电子领域。

    关键词： 电学性能、导电墨水、银纳米粒子、自组装、石墨烯

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 一种基于紫外光固化胶填充石墨烯和炭黑的高粘性柔性应变传感器，用于可穿戴监测

    摘要： 近年来，柔性传感器在反复形变下保持信号检测精度是一大挑战，而实现传感器与基底间的可靠粘附是关键因素。本文报道了一种基于改性石墨烯和炭黑填充紫外光固化胶的高粘附性柔性应变传感器，适用于可穿戴监测。该具有典型电阻特性的应变传感器在0～10%应变范围内的应变灵敏系数为2.1，具有固化时间短（约1小时）、响应快（约40毫秒）、优异粘附强度（4500千帕）及对多种弯曲表面的粘附特性。此外，该传感器可直接制备于弹性柱体和橡胶手套上，在三维力检测和书写手势识别中表现优异。其对任意复杂表面的自适应粘附能力表明，该应变传感器在可穿戴设备领域具有广阔应用前景。

    关键词： 电学性能、智能材料、粘接接头、力学性能、纳米复合材料

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 采用脉冲激光沉积法一步生长高质量CIGS/CdS异质结

    摘要： 本工作报道了在不同工艺条件下，分别采用脉冲激光沉积(PLD)技术在钠钙玻璃(SLG)和镀钼钠钙玻璃(Mo-SLG)衬底上制备CdS薄膜及CdS/Cu(In,Ga)Se2异质结结构的研究。当能量密度为1.1 J/cm2、沉积温度为200-400℃时，可获得单相、化学计量比准确且光学质量高的CdS薄膜?；诖搜芯拷峁?，采用PLD技术在Cu(In,Ga)Se2/Mo/SLG衬底上连续沉积生长CdS层。本研究首次系统考察了CdS沉积温度对CdS/Cu(In,Ga)Se2异质结性能的影响。当CdS在200℃和300℃沉积时，样品呈现低串联电阻和高并联电阻特性。其中300℃沉积CdS制备的CdS/Cu(In,Ga)Se2二极管具有最低理想因子和漏电流，表明其具有更优的器件质量。结果表明：采用脉冲激光沉积单步生长工艺可获得高质量CdS/Cu(In,Ga)Se2二极管，无需对Cu(In,Ga)Se2进行硒化处理，也无需采用化学水浴沉积等其他技术制备CdS层。

    关键词： 硫化镉沉积温度、电学性能、脉冲激光沉积、硫化镉、光学性能、硫化镉/铜铟镓硒结

    更新于2025-09-16 10:30:52