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oe1(光电查) - 科学论文

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出版时间
  • 2019
研究主题
  • A. 银纳米粒子 B. 碳纳米管 E. 原位监测 D. 烧结 F. 电学性能 C. 纳米复合材料
应用领域
  • 复合材料与工程
机构单位
  • Gachon University
90 条数据
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  • 解析溶液法制备碘化铜薄膜的电学特性及其在CuI/n-Si太阳能电池中的应用

    摘要： 已详细研究了温度和液相碘掺杂对旋涂法制备CuI薄膜电学性能的影响。XRD研究表明，CuI薄膜具有多晶特性，碘掺杂可提升薄膜的结晶质量和晶粒尺寸。SEM图像显示碘掺杂增强了CuI薄膜的表面均匀性?；舳вΣ馐灾な?，碘掺杂不仅提高了薄膜的电导率，还增大了载流子浓度和迁移率。未掺杂CuI薄膜的电阻率在约80°C时出现急剧下降，而碘掺杂薄膜则无此现象。碘掺杂薄膜的光学透过率和带隙也有所增加，表明其具有高度简并特性。这些发现表明，碘掺杂旋涂CuI薄膜有望成为溶液法制备CuI/n-Si太阳能电池的候选材料。

    关键词： 液相掺杂碘、旋涂法制备的碘化亚铜薄膜、开关行为、电学性能

    更新于2025-11-21 11:18:25

  • Eu掺杂Bi<sub>0.5</sub>Na<sub>0.5</sub>TiO<sub>3</sub>多功能陶瓷的发光与电学性能

    摘要： 通过固相反应法制备了Eu3?掺杂Bi?.?Na?.?TiO?（BNT）陶瓷。采用XRD、SEM、PL光谱和LCR仪研究了Eu3?掺杂对结构、光致发光及电学性能的影响。X射线衍射分析表明样品晶结构与三方钙钛矿良好匹配，最佳预烧温度为880°C。Eu3?掺杂BNT陶瓷在466nm激发下于614nm处呈现对应Eu3?的?D?→?F?跃迁的优异红光发射，并具有较长荧光寿命。BNT-0.02Eu陶瓷经1075°C烧结后密度达5.68g/cm3，相对密度达94.6%。Eu3?掺杂使样品压电常数（d??）显著提升至110pC/N。经880°C预烧和1050°C烧结的BNT-0.03Eu陶瓷兼具优良介电性能与发光特性。Eu3?掺杂BNT陶瓷在新型集成光电及多功能器件领域具有应用潜力。

    关键词： 发光、电学性能、钛酸铋钠（Bi0.5Na0.5TiO3）、无铅陶瓷

    更新于2025-11-14 17:28:48

  • 添加CuO的低烧结温度(Ba,Ca)(Zr,Ti)O3压电陶瓷的致密化行为改善与能量收集性能提升

    摘要： 压电能量收集技术因其能为极低能耗设备提供可持续能源而备受关注。本研究提出一种氧化铜掺杂策略，开发出兼具低温烧结特性与优异发电性能的环保型(Ba,Ca)(Zr,Ti)O3(BCZT)压电能量收集器。氧化铜掺杂剂显著促进了BCZT陶瓷的致密化行为，在比未掺杂BCZT降低125°C的烧结温度下实现了致密细晶微观结构。此外，与未掺杂BCZT相比，氧化铜添加大幅减小了畴尺寸，从而促进陶瓷中的畴翻转。在保持居里温度(Tc)约120oC的同时，0.50摩尔%氧化铜掺杂陶瓷展现出显著增强的机电性能：优值d33×g33达6661×10-15 m2/N，高场压电常数d33*为873 pm/V，机电耦合系数kp为0.53，能量转换效率η达97%。在10 m/s2加速度下，0.50摩尔%氧化铜掺杂BCZT能量收集器实现了1.8 μW/mm3的高功率密度，较未掺杂BCZT提升约360%。这些发现表明氧化铜掺杂(Ba,Ca)(Zr,Ti)O3压电陶瓷在高功率密度能量收集应用中具有巨大潜力。

    关键词： A. 烧结，C. 电学性能，D. 钛酸钡，B. 微观结构

    更新于2025-11-14 17:28:48

  • 基底温度对喷雾热解法制备氧化镍（NiO）薄膜性能的影响

    摘要： 采用喷雾热解技术在玻璃基底上沉积氧化镍(NiO)薄膜，并通过调节基底温度(350-390°C)优化其物理性能。利用热重-差热分析、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜、光学吸收及电学测量技术研究了基底温度对沉积NiO薄膜的影响。XRD分析表明NiO薄膜具有多晶立方结构。通过200-900nm波长范围内的透射率和吸光度数据计算其光学特性，发现光学带隙能随基底温度升高从3.1eV增至4.0eV。此外还计算了NiO薄膜的消光系数、折射率、介电常数实部与虚部以及光学电导率。电阻率测量显示薄膜导电性随基底温度升高而增强。

    关键词： 组成、喷雾、半导体行为、电学性能、氧化镍

    更新于2025-10-22 19:40:53

  • 硒纳米线经Ni??离子辐照后结构、电学及光学性能的变化

    摘要： 本研究探讨了镍离子辐照对直径80纳米硒纳米线的影响。采用电沉积技术在聚碳酸酯膜中制备硒纳米线，通过X射线衍射、紫外-可见光谱及电流-电压特性分别研究了原始样品与辐照样品的结构、光学和电学性能变化。X射线衍射分析证实衍射峰强度发生变化但峰位未移动，清晰观察到织构系数与晶粒尺寸的改变——这是晶面取向变化、辐照诱导晶粒生长及晶粒碎裂共同作用的结果。由于导带与价带附近间隙能态的形成，导致光学带隙减小。电流-电压特性曲线也显示出电导率的变化，这源于高能离子入射产生的载流子效应。

    关键词： 离子辐照、光学分析、硒纳米线、阻抗、电学性能、结构分析

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 钒氧化物薄膜的铁掺杂效应增强电致变色开关性能

    摘要： 在本研究中，我们采用溶胶-凝胶旋涂法制备了具有优异电致变色（EC）性能的铁掺杂V2O5薄膜。为确定铁掺杂对V2O5薄膜电致变色性能的最佳优化效果，我们将铁原子百分比分别调整为0.0、0.5、1.0和1.5 at%。受铁掺杂影响，所得薄膜中形成了氧空位。结果表明，当最佳铁原子百分比为1.0 at%时，该薄膜展现出更快的切换速度（漂白速度3.7秒，着色速度2.0秒）及更高的着色效率值（47.3 cm2/C），优于其他薄膜。这归因于其导电性和Li+扩散系数的提升，从而有效促进电致变色反应活性并缩小着色态光学带隙以提高透射率调制能力。因此，这种独特薄膜有望成为提升电致变色器件性能的优质材料。

    关键词： 薄膜、光学性能、过渡金属氧化物、电学性能、电致变色性能

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 共轭静电纺丝法构建具有同步可调谐色光致发光与可调控电导率的微米纱线

    摘要： 在此，我们报道了一种通过共轭静电纺丝技术构建{[Tb(BA)3phen + Eu(BA)3phen]/PAN}//[PANI/PAN]（BA=苯甲酸，phen=邻菲啰啉，PANI=聚苯胺，PAN=聚丙烯腈）异质结构微米纱线的策略，该材料同时具备可调谐发光颜色与导电性的双功能特性。所得异质结构微米纱线由[Tb(BA)3phen + Eu(BA)3phen]/PAN发光纳米纤维和PANI/PAN导电纳米纤维组成，实现了深色PANI与稀土(RE)配合物的高效分离，从而获得增强的发光性能。在276 nm紫外光激发下，通过改变稀土配合物比例可将异质结构微米纱线的发射光颜色在绿-黄-红宽范围内调控。通过调节PANI比例亦可实现其导电性的调控。这些兼具发光特性与电学性能的异质结构微米纱线有望应用于多功能领域。

    关键词： 光致发光、共轭静电纺丝、微米纱线、电学性能

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 结构与衬底温度对BaZn0.06Bi0.94O3-钙钛矿基NTC热敏电阻薄膜的影响

    摘要： 基于钙钛矿型BaBiO3（BB）和BaZn0.06Bi0.94O3-δ（BZB）的负温度系数（NTC）热敏电阻薄膜通过射频磁控溅射法成功制备于铂基底上。采用X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）研究了不同基底温度（分别为25-200°C和200°C）下沉积的BZB与BB薄膜的晶体结构和晶粒形貌?；孜露榷越峋Ф群拖嘟峁咕哂邢灾跋欤涸?00°C和200°C基底温度下分别获得立方和四方BaBiO3基钙钛矿结构的主晶相。通过测量电阻-温度（ρ-T）特性分析电学性能，所有薄膜均呈现良好的NTC热敏电阻特性。此外，采用三个并联R-CPE等效电路串联模型估算晶粒（Rg）和晶界（Rgb）对总电阻的贡献，其中200°C沉积的BZB薄膜在高温度区间主要电阻贡献源自Rg响应而非Rgb，这是该样品呈现优异NTC行为的重要原因之一，该结论通过电流-电压（I-V）特性分析得到验证。BB薄膜室温电阻率（ρ25）为1540 Ω·cm（B25/85 -3240 K），而相同基底温度（200°C）沉积的BZB薄膜ρ25值降至约1156 Ω·cm（B25/85 -3183 K），这主要源于晶体结构特性的改变。研究表明，在适当温度下对BB薄膜进行Zn2+掺杂将有助于开发低阻型新型薄膜NTC热敏电阻。

    关键词： 衬底温度、NTC热敏电阻、电学性能、BaBiO3、薄膜

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 无毒水诱导InYO薄膜的燃烧合成及其在薄膜晶体管中的应用

    摘要： 工作中采用环保的水溶液法制备了新型氧化铟钇（InYO）薄膜。通过添加Y元素来抑制氧空位的产生。首次研究了Y掺杂对无毒水致InYO薄膜晶体管（TFTs）性能和稳定性的影响。随着Y掺杂含量的增加，关态电流降低，迁移率从15.8降至11.7 cm2 V?1 s?1。此外，正偏压应力下的稳定性也显著提高。当Y元素掺杂量为2 mol%时，器件展现出最优的电学性能和良好稳定性：迁移率达12.8 cm2/V·s，阈值电压为1.4 V，亚阈值摆幅为0.33 V/十倍频程，在5 V正电压应力下持续10,000秒的阈值电压漂移仅为2.31 V。性能提升归因于Y添加减少了氧空位并降低了界面陷阱密度。

    关键词： 薄膜、非晶材料、电学性能、溶胶-凝胶化学

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 通过改变包覆剂调控PVA/CdSe薄膜的光响应和介电性能

    摘要： 本研究通过直接浇铸聚乙烯醇（PVA）与水相合成CdSe量子点的水溶液体系，在无需有机溶剂条件下制备了PVA基有机-无机杂化纳米复合薄膜。分析了量子点合成过程中不同封端剂对纳米复合材料热学、光学及介电性能的影响，发现封端剂不仅调控纳米粒子与聚合物基体的相互作用，还影响量子点的尺寸、光致发光等特性。通过紫外-可见光谱、荧光光谱、热重分析（TGA）、差示扫描量热法（DSC）、介电弛豫谱（DRS）和原子力显微镜等技术分别对纳米复合材料进行光学、热学、介电及形貌表征，证实通过选用不同封端剂可调控纳米复合材料的最终性能——PVA与CdSe量子点间的相互作用决定了材料特性。

    关键词： E. 铸造，B. 电学性能，B. 光学性能，A. 纳米复合材料

    更新于2025-09-23 15:23:52