研究目的
研究结构与衬底温度对BaZn0.06Bi0.94O3-δ钙钛矿基NTC热敏电阻薄膜的影响，以开发低阻应用。
研究成果
在200°C下沉积的BaZn0.06Bi0.94O3-δ薄膜由于结构变化和锌离子替代作用，展现出更优的NTC特性及更低的室温电阻率，适用于低阻值热敏电阻应用。未来研究应探索不同锌浓度的影响。
研究不足
该研究仅限于特定的衬底温度和锌掺杂浓度；若要实现更广泛的应用，可能需要对掺杂水平和温度进行进一步优化。使用铂衬底及特定溅射条件可能无法推广至其他材料或方法。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用射频磁控溅射法制备薄膜，通过XRD和AFM进行结构分析，并利用电阻率-温度（ρ-T）、电流-电压（I-V）及交流阻抗谱等电学测量手段分析材料特性。
2：样品选择与数据来源：
在铂基底上分别于25°C、100°C、200°C沉积BaZn0.06Bi0.94O3-δ与BaBiO3薄膜。
3：06Bi94O3-δ与BaBiO3薄膜。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：设备包括射频磁控溅射系统、X射线衍射仪（D/Max 2550VB，理学）、原子力显微镜（NT-MDT Solver P47）、源表（安捷伦Keithley 2410）、阻抗分析仪（安捷伦4294A）。材料包含BaCO3、Bi2O3、ZnO、聚乙烯醇粘合剂及铂基底。
4：7）、源表（安捷伦Keithley 2410）、阻抗分析仪（安捷伦4294A）。材料包含BaCOBi2OZnO、聚乙烯醇粘合剂及铂基底。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：通过固相反应制备陶瓷靶材，在设定温度下进行溅射沉积，采用XRD与AFM进行结构表征，在25-85°C和25-200°C温区开展电学测量。
5：数据分析方法：
电阻率数据采用阿伦尼乌斯方程分析，阻抗数据通过等效电路建模处理，I-V特性采用线性拟合分析。
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获取完整内容-
X-ray Diffractometer
D/Max 2550VB
Rigaku
Analyzing crystal structure and phase identification of thin films
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Source Meter
Agilent Keithley 2410
Agilent
Measuring resistance-temperature (ρ-T) and current-voltage (I-V) characteristics
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Impedance Analyzer
Agilent 4294A
Agilent
Performing AC impedance spectroscopy to analyze grain and grain boundary contributions
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Atomic Force Microscope
NT-MDY Solver P47
NT-MDT
Characterizing surface morphologies and grain sizes of thin films
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RF Magnetron Sputtering System
Depositing thin films on substrates
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