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采用多源真空蒸发法制备的透明导电银β-氧化铝及掺铟银β-氧化铝薄膜的光电性能
摘要： 本研究报道了晶体透明导电银β氧化铝（AgAl11O17）和掺铟银β氧化铝（AgAl11O17:In）薄膜的光电特性。与铜铁矿型AgAlO2的p型导电性不同，通过热探针、霍尔效应和热电测量证实，六方晶系的AgAl11O17和AgAl11O17:In均为n型导电。其电导率变化范围（10-5-10-2 S/cm）与激活能的变化与载流子浓度及迁移率相关。这些薄膜展现出约3.93±0.02eV的宽直接带隙和高达约62%的透光率。
关键词： 透明导电氧化物、薄膜、电导率、光学性能
更新于2025-09-23 15:22:29
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CuInGaTe2的合成与电输运特性
摘要： 采用特殊改进的布里奇曼晶体生长技术合成了铜铟镓二碲化物（CIGT）单晶。X射线衍射图谱清晰显示为单相结构。我们首次在143-558K温度范围内测定了CuInGaTe2单晶的电导率σ(T)、霍尔系数RH(T)随温度的变化关系?；舳凳姆胖な笛烦氏謕型导电特性。通过直观有效的图表展示了电导率、霍尔系数、霍尔迁移率及载流子浓度的温度依赖性。研究表明CuInGaTe2单晶具有0.64-0.85eV的能带间隙（或称"输运势垒"）。根据电导率和载流子浓度数据，确定该p型样品的受主能级约为0.027eV。基于实验数据，估算了该晶体材料的主要基础物理常数及其他参数。
关键词： 单晶、电导率、Cu–III–VI? 黄铜矿半导体
更新于2025-09-23 15:22:29
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氮掺杂氢化非晶碳薄膜的物理与电学特性
摘要： 采用等离子体活化化学气相沉积技术（PACVD）及等离子体束源（PBS）制备了氮掺杂氢化非晶碳膜（a-C:H:N）。通过改变总压强、衬底温度（100°C和300°C）以及向乙炔（C2H2）前驱体中添加氮气来调节氮分压p(N2)，实现了对a-C:H:N薄膜性能的调控。研究过程中，将a-C:H:N薄膜分别沉积于载玻片和掺杂硅晶圆表面。随着N2/C2H2混合气体中氮含量增加及总压强降低，薄膜沉积速率下降。采用弹性反冲探测分析（ERDA）对两组300°C样品进行了元素组成分析，测得最高氮含量和N/C比分别为16原子%和0.25（对应最大p(N2)条件）。显微硬度测试表明薄膜硬度随p(N2)升高而降低。通过四探针法测量a-C:H:N薄膜电阻率，在较高衬底温度（300°C）下获得的氮掺杂a-C:H薄膜呈现导电特性，其电阻率随总压强降低而减小，最低值约为1欧姆·厘米。利用X射线反射率法（XRR）测定了薄膜密度。
关键词： 等离子体辅助化学气相沉积、氮化碳薄膜、电导率、类金刚石碳、碳薄膜、X射线反射率
更新于2025-09-23 15:22:29
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[IEEE 2018国际柔性电子技术会议(IFETC) - 加拿大安大略省渥太华(2018年8月7日至9日)] 2018国际柔性电子技术会议(IFETC) - 通过后处理优化丝网印刷银导电轨迹的导电性
摘要： 丝网印刷银导电线路已应用于或正被探索用于薄膜开关、太阳能电池、射频识别（RFID）天线、糖尿病检测试纸、传感器等领域。对于其中许多应用而言，优化印刷线路的导电性至关重要。研究发现，印刷导电线路的电导率高度依赖于后处理条件，但对此影响的认知仍有限。本文初步研究结果表明：先常温干燥再进行热处理的工艺，能使印刷导电线路获得最低电阻值（即最高电导率）。
关键词： 电导率、印刷导电轨迹、后热处理、固化
更新于2025-09-23 15:22:29
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热蒸发制备的Se90Sb10薄膜的光电特性
摘要： 通过块状合金热蒸发法沉积了硫系化合物Se90Sb10薄膜。退火薄膜的X射线衍射检测显示其发生了非晶-晶态转变，这有利于光盘数据存储技术。提高退火温度可改善结晶度。较低温度退火的薄膜在900纳米入射光波长下表现出高达约90%的高透明度。制备态和退火态的Se90Sb10薄膜均呈现间接允许光学跃迁。473K退火薄膜的光学带隙为1.676电子伏特，该数值适合作为光伏应用的太阳能电池材料。随着退火温度升高，间接光学带隙(Eg)和振子能量(Eo)减小，而振子强度(Ed)增大。退火处理提高了电导率并降低了导电激活能，从而增强了薄膜适配太阳能电池的性能。
关键词： 电导率、硫属化合物、光学常数、薄膜
更新于2025-09-23 15:21:21
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Al2O3/SrTiO3界面处的高导电二维电子气
摘要： 我们采用脉冲激光沉积法在Al2O3/SrTiO3/LaAlO3异质结构中制备出二维电子气，其面电阻随Al2O3薄膜生长温度升高而降低。通过截面透射电镜确认了薄膜的结构表征。与在原始SrTiO3和TiO2终止面SrTiO3衬底上沉积Al2O3薄膜的异质结构相比，Al2O3/SrTiO3/LaAlO3异质结构具有更强的导电性。X射线光电子能谱显示界面SrTiO3侧形成了氧空位，这是由还原SrTiO3薄膜的氧化还原反应所致。此外，通过蓝光发射验证了SrTiO3侧存在氧空位。
关键词： Al2O3/SrTiO3/LaAlO3异质结构、脉冲激光沉积、氧空位、二维电子气、电导率
更新于2025-09-23 15:21:21
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Si2BN纳米片在原始和预氧化条件下对含氮气体的高效选择性传感
摘要： 受二维纳米结构在气体传感领域应用前景的激励，我们采用范德华修正的密度泛函理论计算，研究了新设计的Si2BN单层结构在结构、电子特性及气体传感方面的倾向性。严格模拟显示，含氮气体（NCGs）典型代表如NO、NO2和NH3在原始Si2BN单层上结合极强。然而NO和NO2会发生强烈解离吸附，这将毒化Si2BN并最终损害单层的可逆性。在更接近实际的预氧化条件下探究传感机制时，O2@Si2BN的结合特性发生显著变化，导致所有NO、NO2和NH3均以缔合方式呈现更低吸附。功函数的可见变化表明O2@Si2BN在接触入射气体时电导率发生变化。结合能的稳定数值还将确?？焖倩指词奔?，这使得O2@Si2BN成为检测NCGs等污染物的有效纳米传感器。
关键词： 电导率、吸附、功函数、恢复时间、单分子层
更新于2025-09-23 15:21:21
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[IEEE 2018年第九届超宽带与超短脉冲信号国际会议(UWBUSIS) - 乌克兰敖德萨 (2018.9.4-2018.9.7)] 2018年第九届超宽带与超短脉冲信号国际会议(UWBUSIS) - 非均匀介质内导体同轴屏蔽层横向圆周缝隙的数学模型
摘要： 已解决同轴线路屏蔽层中横向圆周槽（其正下方紧贴有介质插入物）的激励与散射问题。通过计算有限长度介质插入物（该插入物完全填充馈线横截面）所引发的多次反射，确定了内部电导率。给出了辐射系数与反射系数的计算公式。
关键词： 介质插入件、圆周槽、反射系数、辐射系数、线、电导率、磁动势、同轴
更新于2025-09-23 15:21:21
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采用共沉淀法合成的锰掺杂氧化锌纳米粒子的结构、光学及介电性能研究
摘要： 采用共沉淀法成功合成了Mn掺杂量（Mn:ZnO）为0至3%的ZnO:Mn纳米粉体，并对其结构、光学、介电及导电性能进行了研究。所有样品均结晶为六方纤锌矿结构。Mn掺杂ZnO样品的晶格参数、键长及择优晶向变化表明Mn2?离子已进入ZnO晶格。掺杂导致微应变和位错密度降低，而平均晶粒尺寸增大，说明晶体质量得到改善。掺杂后可见光区透光率提高。随Mn含量增加交流电导率(??????)下降的现象与缺陷数量增多有关。所有样品的Cole-Cole曲线均可通过电阻与恒相位元件(CPE)并联电路进行拟合。
关键词： 电导率、光学性能、锰掺杂氧化锌、介电性能、X射线衍射
更新于2025-09-23 15:21:21
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具有点缺陷的石墨烯电子性质
摘要： 本文逐点分析了含缺陷（吸附原子、替位原子、空位）石墨烯的电子能谱，这些缺陷可通过Lifshitz模型充分描述。针对二维相对论性电子情形计算了该模型的已知哈密顿量，并给出了狄拉克点附近出现杂质共振的判据。文中提出了石墨烯浓度带结构转变理论，由此得出：当杂质浓度达到严格定义的数值时，在杂质共振能级附近会打开输运能隙。同时分析了此类{空间无序体系}中Dirac准粒子局域化的可能性（或不可能性）。基于此，对近期在{非纯净石墨烯}中观测到的金属-绝缘体转变现象作出解释并建立描述——该现象是系统费米能在输运能隙区域降低的直接结果。引入并论证了石墨烯局部能谱重排概念（该过程伴随缺陷浓度增加而发生）。通过理论推导阐明：低温电导率随电子费米能变化的最小值位置对应杂质共振能而非狄拉克点（该结论已获多项理论与实验研究验证），且该最小值并非普适量而是取决于缺陷浓度。在开展杂质效应解析研究的同时，对目标体系进行了数值模拟，最终证实两种方法完全吻合，尤其验证了能谱重排全貌、电子态局域化以及具有局域特性效应的整体图景。
关键词： 电子能谱、输运势垒、Lifshitz模型、杂质共振、金属-介电转变、石墨烯、局域能谱重排、电导率、点缺陷
更新于2025-09-23 15:21:21