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采用YAK-203发光层的有机LED结构导纳研究
摘要： 基于PEDOT:PSS/NPD/YAK-203/BCP体系有机LED多层结构的电流-电压特性与导纳已在广泛测量条件下进行了实验研究。结果表明，在对应于载流子有效辐射复合的电压下，结构微分电容出现显著下降。LED结构归一化电导的频率依赖性与等效电路法数值模拟结果高度吻合。导纳频率依赖性随温度的变化在200-300K温区最为显著，在8-200K温区较不明显。通过阻抗虚部频率依赖性测得了不同电压和温度下的载流子迁移率，该方法所得迁移率值略低于瞬态电致发光法测定结果。迁移率与电场的关系可用线性函数良好拟合，当温度从300K降至220K时，迁移率下降数倍。
关键词： 阻抗虚部的频率依赖性、LED结构、电流-电压特性、瞬态电致发光、有机半导体、载流子迁移率、等效电路法、导纳
更新于2025-11-14 17:28:48
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具有非谐波电流-相位关系的分形约瑟夫森结分析
摘要： 本文对具有非谐电流-相位关系的分形约瑟夫森结进行了分析和数值研究。该系统根据外部直流电源和非谐参数的不同，存在两个、四个或无平衡点。我们对这些平衡点的稳定性进行了分析。在理想约瑟夫森结中引入非谐电流-相位关系会导致电流-电压特性的迟滞效应增强；而在具有谐波电流-相位关系的约瑟夫森结绝缘层中引入分形特性，则会使电流-电压特性的迟滞效应减弱。若在分形约瑟夫森结中引入非谐电流-相位关系，将导致电流-电压特性的迟滞效应增强。我们绘制了具有非谐电流-相位关系的分形约瑟夫森结在调制电流振幅与频率平面上的动力学行为图谱。通过适当选择外部电流源的调制参数，这种分形约瑟夫森结可呈现激发态模式、双稳振荡模式以及周期性与混沌行为。
关键词： 电流-电压特性、非谐波电流-相位关系、分形约瑟夫森结、双稳态、混沌行为、滞后现象
更新于2025-09-23 15:23:52
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确定光伏组件等效电路模型的串联电阻
摘要： 文献中描述了多种通过测量光伏器件IV曲线来确定串联电阻的方法。我们研究利用这些技术估算单二极管等效电路模型的串联电阻参数。通过模拟IV曲线，我们证明这些技术获得的串联电阻值与生成曲线所用已知串联电阻参数值存在系统性差异，表明这些方法不适用于确定单二极管模型方程的串联电阻参数。我们提出一种联合确定单二极管模型方程其他参数的串联电阻参数替代方法，并验证该技术在存在测量误差时的准确性和可靠性。
关键词： 电流-电压特性、参数提取、电阻、太阳能电池板
更新于2025-09-23 15:22:29
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高温环境下溶胶-凝胶法制备的Si/ZnO异质结二极管中当前传输机制的分析
摘要： 本文分析了Si/ZnO异质结二极管在宽温度范围（即室温298K至573K）的电气参数，以研究该二极管在极高温度环境下的电学性能。本研究采用旋涂技术，直接在p型硅衬底上沉积了溶胶-凝胶法制备的纳米结构ZnO薄膜。通过半导体参数分析仪在298K-573K温度范围内对±5V偏压下的器件进行电流-电压特性测试，由此推导出整流比、反向饱和电流、理想因子、势垒高度、串联电阻和激活能等电学参数。在298K时，测得理想因子为2.66、势垒高度为0.789eV、串联电阻为3554Ω；而在573K时这些参数分别变为1.58、1.15eV和801Ω。上述结果表明高温环境下存在空间势垒高度不均匀性（BHI）。因此我们在分析中引入空间BHI的高斯分布来计算有效理查德森常数（RC）。未考虑空间BHI时RC值为4.026×10^{-6}Acm^{-2}K^{-2}，引入后修正为29.14Acm^{-2}K^{-2}，更接近理论值（32Acm^{-2}K^{-2}）。本研究表明，所制备的Si/ZnO异质结二极管在极高温度环境下仍能保持其电学特性，适用于高温电子和光电子应用。
关键词： 电流-电压特性、理查德森常数、陷阱辅助隧穿、空间势垒不均匀性、异质结二极管、半导体薄膜
更新于2025-09-23 15:22:29
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AlGaN/GaN/BGaN/GaN/Si HEMT的直流与射频特性优化及其在微波功率与高温应用中的研究
摘要： 采用分子束外延（MBE）技术制备的AlGaN/GaN/Si高电子迁移率晶体管（HEMTs）通过多种表征方法进行研究，其中最常用的是直流和射频测量，以评估器件的功率与微波性能。这些参数的提升不仅依赖于技术改进（例如栅极长度（Lg）缩减和钝化工艺），另一个关键点在于：在保持栅极长度减小的同时降低势垒层厚度，从而减少载流子渡越时间（τ），最终实现更高截止频率（FT）。但这种情况下会出现"穿通效应"这一有害现象，其根源在于沟道中电子约束能力的减弱。本文主要目标就是展示如何抑制该效应。
关键词： HEMT氮化镓，射频，电流-电压特性，射频特性，合金BGaN
更新于2025-09-23 15:21:21
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激光二极管巴条电流-电压特性的温度依赖性模型
摘要： 基于对铝镓砷/砷化镓异质结构激光二极管巴条（LDB）电流-电压特性（I-V曲线）实验测量温度依赖性与已知发光二极管模型所得依赖性之间差异的分析，研究人员对这些差异的来源提出了假设。通过考虑温度变化导致的LDB各层电阻改变，实验与模型依赖性之间的吻合度显著提高。研究表明：当注入电流已知时，利用测量的LDB压降可估算二极管有源区温度，从而为基于高功率激光二极管的固态激光泵浦系统实现热稳定控制。
关键词： 温度、电势差、激光二极管巴条、电流-电压特性
更新于2025-09-23 15:21:01
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用于高功率激光辐射多结转换器的p-i-n GaAs/AlGaAs隧道二极管的开发与研究
摘要： 创建具有高于光敏p-n结短路电流密度的峰值隧穿电流密度的连接隧道二极管，是开发高功率光学辐射多结光电转换器（III-V族）的重要任务?；诙运淼蓝躂-U特性的数值模拟，提出了一种通过在隧道二极管的简并层之间插入几纳米厚的未掺杂i型薄层来提高峰值隧穿电流密度的方法。采用分子束外延技术生长了峰值隧穿电流密度高达200 A/cm2的p-i-n-GaAs/Al0.2Ga0.8As连接隧道二极管结构。
关键词： 量子隧穿、分子束外延、隧道二极管、多结光电转换器、电流-电压特性
更新于2025-09-23 15:21:01
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金属化后退火对Al?O?/GaN结构界面特性的影响
摘要： 在本研究中，我们采用原子层沉积法制备的Al2O3，研究了后金属化退火（PMA）对GaN金属-氧化物-半导体（MOS）结构界面特性的影响。在300-400°C氮气环境下进行PMA后，MOS样品展现出无频率色散的优异电容-电压（C-V）特性。该PMA样品的状态密度最高仅为4×101? cm?1 eV?1。透射电镜图像的几何相位分析表明，PMA后Al2O3/GaN界面附近的晶格常数呈均匀分布，从而改善了界面沿线的键端配位和键序构型。
关键词： 原子层沉积、电容-电压特性、Al2O3/GaN结构、界面性能、金属化后退火
更新于2025-09-23 15:21:01
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混合量子点太阳能电池的等效电路参数
摘要： 我们通过实验研究了由InAs/GaAs和GaSb/GaAs量子点构成的混合量子点太阳能电池的等效电路参数。通过堆叠一对和三对InAs/GaAs与GaSb/GaAs量子点层制备了混合量子点太阳能电池样品。采用四种等效电路模型对实验测得的样品电流-电压特性进行拟合，相关电路参数包括光电流、反向饱和电流、二极管理想因子、串联电阻和并联电阻。所有样品的最佳拟合模型均包含串联电阻和并联电阻。拟合结果表明，始终获得代表主导复合电流的二极管理想因子2。通过对比两对单层混合量子点太阳能电池提取的参数，可从光吸收和载流子存储特性角度讨论结构堆叠顺序的影响。研究发现，将堆叠层数从一对增加到三对会降低电池性能，这可能是由于总量子点层厚度过大或该样品中存在位错缺陷所致。
关键词： 参数提取、电流-电压特性、太阳能电池、量子点
更新于2025-09-23 15:19:57
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经退火处理的GaN衬底上ZnO纳米棒形成的高度整流异质结
摘要： 我们研究了热退火对基于p型GaN衬底上单根n型ZnO纳米棒构成的纳米尺度p-n异质结电学性能的影响。通过化学浴沉积法在普通GaN衬底和聚焦离子束光刻局部图案化的衬底上制备ZnO纳米棒。利用扫描电子显微镜真空腔室中的纳米探针测量单根纳米棒异质结的电学特性。聚焦离子束光刻实现了ZnO的均匀成核，从而获得均匀生长的ZnO纳米棒。聚焦离子束形成的ZnO纳米棒与GaN衬底界面特定构型抑制了表面漏电流并改善了电流-电压特性。通过在氮气中退火结构进一步优化电学性能，该方法能抑制缺陷介导的漏电流并提高载流子注入效率。
关键词： 化学浴沉积、纳米级异质结、氧化锌纳米棒、扫描电子显微镜中的纳米探针、电流-电压特性、退火、聚焦离子束图案化
更新于2025-09-23 15:19:57