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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 采用氧化石墨烯量子点增强电荷俘获存储器的记忆特性

    摘要： 本研究将氧化石墨烯量子点（GOQDs）嵌入高介电常数材料HfO?的电荷捕获层中，用于非易失性存储器应用。所制备器件在63.5V扫描电压下展现出1.57V的大存储窗口，且在1.2×10?秒保持时间后仅出现13.1%的电荷损失。这一优异性能归因于电荷捕获层中形成的量子阱效应。HfO?薄膜中的缺陷陷阱增强了器件的电荷捕获效率和保持特性。该研究表明，嵌入高介电常数材料中的GOQDs在电荷捕获存储器应用方面具有良好前景。

    关键词： 非易失性存储器、氧化石墨烯量子点、二氧化铪、电荷俘获存储器

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 总电离剂量对基于Al?O?/HfO?/Al?O?电荷俘获存储单元电荷存储能力的影响

    摘要： 由于离散电荷存储机制，电荷俘获存储器（CTM）技术是航空航天和军事任务的理想选择。本研究探讨了在原位10 keV X射线辐照下，采用Al2O3/HfO2/Al2O3（AHA）高k栅堆叠结构的CTM单元的总电离剂量（TID）效应。不同辐射剂量下的C-V特性表明，器件中存储的电荷在辐照过程中持续泄漏，从而导致平带电压（Vfb）发生偏移。直流存储窗口变化不明显，表明其具有良好的编程/擦除能力。此外，还分析了基于AHA的CTM中TID诱导辐射损伤的物理机制。

    关键词： 总电离剂量效应、平带电压、电荷俘获存储器、Al2O3/HfO2/Al2O3、X射线

    更新于2025-09-09 09:28:46