不同金属电极下CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜的多重电阻开关行为

摘要： 利用有机-无机杂化钙钛矿材料（如CH3NH3PbI3）中的缺陷特性对存储应用具有积极意义。本工作采用铝（Al）、银（Ag）和金（Au）等常用电极构建了简易的CH3NH3PbI3存储器件，呈现出不同的开关行为。ITO/CH3NH3PbI3/Al器件使用铝电极时展现出阻变随机存储器（ReRAM）特性：SET电压为4.5V，通过施加超过1.3V的负向扫描电压可触发复位（归因于碘空位丝的形成）。值得注意的是，当采用银和金阴极替代铝时，则表现出一次写入多次读取（WORM）型阻变开关特性——银和金电极对应的OFF→ON转换电压分别为4.7V和4.0V。即使施加反向电压，"短路效应"依然存在，表明数据得以保持。这些制备的器件有助于深入理解电极选择机制，并为阻变存储器的应用研究开辟了新方向。