激光化学气相沉积法制备石墨烯/3C-SiC薄膜的外延生长与电学性能

摘要： 高导电性石墨烯/外延3CeSiC（G/epi-3CeSiC）复合薄膜在微机电系统、分布式布拉格反射器、太阳能电池及恶劣环境光催化等领域具有应用潜力。本研究采用六甲基二硅烷（HMDS）作为安全单一前驱体，通过激光化学气相沉积（LCVD）法制备了G/epi-3CeSiC复合薄膜。该复合薄膜的电导率（σ）达到2.23×10? S/m，是现有报道中G/epi-3CeSiC复合薄膜最高电导率的2.2倍；其最高电导率对应的沉积速率（Rdep）是文献报道最高电导率G/epi-3CeSiC的8.2倍。纯外延3CeSiC薄膜的电导率仅为81.2 S/m，这是目前采用HMDS作为单一前驱体通过CVD法制备3CeSiC的最低值。当外延3CeSiC用作半导体材料时，消除碳元素有利于提高异质结的击穿场强并降低漏电流。