[2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 具有工业背面钝化接触的23%效率单多晶丝网印刷硅太阳能电池研究

摘要： 我们展示了一种n型双面太阳能电池，其背面采用SiOx/n+：多晶硅钝化接触结构，其中界面SiOx层和n+：多晶硅层是通过工业在线等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备制备的。通过采用可轻松适配大规模生产的简易太阳能电池工艺流程，我们在大面积丝网印刷的直拉法硅（Cz-Si）太阳能电池上，使用商用烧穿型金属浆料，实现了23.05%的峰值电池效率，开路电压（Voc）达到694 mV。此外，我们发现n+：多晶硅层具有低吸收特性，在优化背面多晶硅厚度和正面减反射涂层后，其短路电流密度（Jsc）值最高可达41.0 mA/cm2。