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oe1(光电查) - 科学论文

21 条数据
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  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 美国伊利诺伊州芝加哥（2019年6月16日-2019年6月21日）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 基于镉的硫属化合物中缺陷特性的机器学习研究

    摘要： 带隙中的杂质能级会对半导体作为光伏吸收剂的性能产生严重影响。数据驱动方法有助于加速预测常见半导体中点缺陷的性质，从而识别潜在的深能级杂质态。本研究采用密度泛函理论（DFT）计算CdX硫属化合物（X=Te、Se或S）中数百种杂质的缺陷形成能与电荷转移能级。我们基于DFT数据应用机器学习技术，开发出针对任意位点任意杂质原子的形成能及相关转移能级的按需预测模型。通过在混合硫属化合物CdTe0.5Se0.5和CdSe0.5S0.5中测试若干选定缺陷，证明所训练的ML模型具有足够普适性和准确性，可预测任何镉基硫属化合物中可能存在的点缺陷性质。本工作采用的ML框架可推广至各类半导体。

    关键词： 机器学习、点缺陷、碲化镉、密度泛函理论、硫属化合物

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 用于染料敏化太阳能电池对电极的丝网印刷硒化锡薄膜

    摘要： 本工作采用可扩展的丝网印刷工艺制备低成本、地球储量丰富的硒化锡(SnSe)薄膜，研究其作为染料敏化太阳能电池(DSSC)对电极的性能。通过固相反应法合成SnSe粉末，并利用丝网印刷技术制备相应薄膜。采用循环伏安法和电化学阻抗谱表征了SnSe对碘/三碘离子(I?/I3?)氧化还原电对的电催化活性及对电极/电解质界面的电荷转移电阻。测试显示：SnSe对电极DSSC的光电转换效率(PCE)为5.76%，开路电压0.63V，短路电流密度12.39mA/cm2；而铂对电极DSSC的PCE达8.09%，开路电压0.68V，短路电流密度14.77mA/cm2。因此，丝网印刷制备的地球储量丰富且低成本的SnSe薄膜有望成为DSSC中昂贵铂对电极的替代材料。

    关键词： 对电极、SnSe薄膜、染料敏化太阳能电池、硫属化合物、丝网印刷

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 合理设计的CuSb1-xBi xS2作为有前景的光伏材料：理论与实验研究

    摘要： 我们在此报道了CuSb1-xBixS2（CABS）——一种极具前景的带隙工程太阳能电池光能转换材料——的混溶间隙，并通过理论预测与实验验证相结合的方法评估其适用性。我们的第一性原理计算和热力学建模表明，该CABS随机合金体系在室温合成时具有1.1-1.5 eV的最佳带隙值。采用机械化学方法合成的CABS体系，其光学带隙值与理论预测高度吻合，且表现出更低的动能势垒以促进成核。

    关键词： 光伏材料，硫属化合物，机械化学法，太阳能电池，I–V–VI族

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 采用激光解吸电离飞行时间四极离子阱质谱法对自制Sb2Se3多晶材料、薄膜及商用多晶块体产生的簇团进行比较

    摘要： 本研究采用激光解吸电离（LDI）飞行时间质谱与四极离子阱质谱联用技术，对比了商用多晶块体、溅射薄膜及自制多晶形式的Sb2Se3材料，并分析了所形成SbmSen团簇的化学计量比。结果表明：自制Sb2Se3块体相比薄膜具有更高稳定性，其质谱图显示出预期的团簇形成特征。使用石墨烯、氧化石墨烯和C60等表面辅助LDI（SALDI）材料显著提升了质谱信号强度。共观测到19种SbmSen团簇，其中当采用石蜡作为?；ぜ潦保状畏⑾至肆中滦透咧柿渴糯亍猄b4Se4+、Sb5Se3-6+和Sb7Se4+。

    关键词： 硒化锑、团簇、激光解吸电离、石蜡、硫属化合物

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • [IEEE 2019年光子学北美会议(PN) - 加拿大魁北克市(2019.5.21-2019.5.23)] 2019光子学北美会议(PN) - 基于Pr<sup>3+</sup>掺杂硫系玻璃波导的中红外多组分气体传感器设计

    摘要： 掺镨硒化物薄膜通过射频磁控溅射沉积在热氧化硅片上。随后采用光刻和干法刻蚀技术制备脊形波导。在1.55微米波长光泵浦下，记录到3.5至5.5微米波段的宽带导模中红外光致发光。光学设计证实这些有源波导能在重要环境气体（CO2、CO、NO）的不同吸收波长实现单模光传输。基于中波红外多模干涉仪（MMI）的多组分气体传感解复用器已完成设计。

    关键词： 中波红外、多模干涉、中红外、多物种传感、稀土元素、硫属化合物

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • Cu2ZnGe(S1-xSex)4——合成单相材料的挑战

    摘要： Cu2ZnGeSe4和Cu2ZnGeS4的带隙能量在1.4 eV至1.7 eV范围内变化，这种通过不同S/(S+Se)比例调控的特性使Cu2ZnGe(S1-xSex)4固溶体成为多结太阳能电池应用中的有趣材料。然而，由于存在多种多晶型态，该体系具有一定复杂性：Cu2ZnGeSe4结晶为四方晶系铜锌锡硫矿结构，而Cu2ZnGeS4可能形成四方晶系锡矿或正交晶系钨锡矿结构。为深入研究这一复杂体系，采用固相反应法制备的多晶材料对Cu2ZnGe(S1-xSex)4固溶体系列进行了系统研究。波长色散X射线光谱化学分析显示样品内存在显著不均匀性，多种四元相共存，同时还观察到大量二元、三元次生相及单质锗。富硫样品中的次生相种类多于富硒样品。因此，合成非化学计量的Cu2ZnGe(S1-xSex)4混合晶体极易伴随各种次生相的形成，这使得获得单相材料成为一项艰巨任务。

    关键词： 波长色散X射线光谱、固相反应、多晶粉末、硫属化合物、次生相、铜锌锗硒化物、铜锌锗硫化物

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • CdBVI–CdTe体系体相与表面性质变化的平行性及相关规律

    摘要： 对CdS-CdTe和CdSe-CdTe体系的固溶体及二元组分的体积特性（结构、光学、电物理）与表面特性（酸碱、吸附）进行了综合研究。揭示了这些特性随组分变化的规律性，以及各体系内部模式与体系间对比的关联性。研究发现，共同的二元组分碲化镉对两个体系固溶体特性具有主导影响?；诙蕴逑辔锢砘匦裕ㄏ嘟嫌谥苯友芯勘砻嫣匦约此峒钣胛教匦裕梅椒ɡ投慷雀停┑难芯拷峁?，证实了预测这些新材料对不同电子性质气体表面活性的可能性。并提出了将这些材料应用于相应传感器的实践建议。

    关键词： 酸碱、吸附性能、传感器、固溶体、硫属化合物、新材料、电物理、结构、光学

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • Sn<sub>1-x</sub>Mn<sub>x</sub>S（0 ≤ x ≤ 0.20）纳米晶体的简易合成及可见光光催化活性

    摘要： 硫化锡（SnS）因其优异的光学和电学特性而成为一种极具前景的能源材料。通过掺杂其他元素可使SnS呈现更丰富的性能，但该领域研究仍十分有限。本文报道了锰掺杂硫化锡（Sn1-xMnxS，0≤x≤0.2）纳米晶体的光学与光催化性能。结构分析与光电子能谱研究表明Mn已成功掺入SnS晶格。透射电镜观测显示掺锰导致纳米晶体尺寸与形貌改变：纯SnS呈长方体形貌，而锰掺杂后转变为球形。当Mn掺杂浓度≤10%时，Sn1-xMnxS光学带隙发生0.15 eV的红移，但更高掺杂浓度则产生相反效应。锰掺杂显著降低了发射峰强度，这可能与削弱辐射复合过程的电荷分离机制有关?？杉庹丈湎?，Mn掺杂使SnS对刚果红染料的光催化降解活性明显提升。清除剂实验表明光生空穴、羟基自由基和超氧自由基是降解刚果红的主要活性物种。Sn1-xMnxS光学性能的可调性及增强的光催化特性，使其在光催化和光伏领域具有潜在应用价值。

    关键词： 硫属化合物、半导体材料、纳米晶体、光催化

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 一系列具有前所未见封闭空腔的新型稀土金属硫属化合物的固态制备、结构表征、物理性质及理论研究

    摘要： 多元稀土金属硫属化合物因其独特的结构特征和多样的物理功能引起了广泛关注。本研究通过在1273K的CsCl熔盐中混合元素，成功合成了五种新型稀土硫属化合物Cs2[RE8InS14]（RE = Ho–Lu）。这些同型化合物属于正交晶系Cmca空间群（No. 64）[a = 15.711(7)–15.385(2) ?，b = 22.232(2)–21.786(2) ?，c = 15.483(5)–15.244(2) ?，V = 5408.4(4)–5130.1(7) ?3，Z = 8]，具有由RES6八面体和离散InS4四面体构成的致密三维[RE8InS14]骨架结构。首次发现沿bc平面远距离嵌入网络的大尺寸封闭空腔Cs4@S26?；贙ubelka-Munk函数通过紫外-可见-近红外光谱推导出Cs2[RE8InS14]的带隙为2.45至2.72 eV。磁学测试表明Cs2[RE8InS14]（RE = Ho–Yb）化合物在50K以上呈现顺磁性。此外，还展示了固态制备方法、结构表征、理论研究以及客体金属原子序数G与主体金属原子序数H比值（G/H）的结构关系。

    关键词： 晶体结构、固态反应、磁性能、大型封闭空腔、稀土金属-硫属化合物

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 六方相CuInSe?纳米颗粒的超结构有序性

    摘要： 硫属化合物半导体纳米粒子是溶液法制备光电器件极具前景的构建单元。本研究报道了一种新型大规模胶体合成具有六角形片状形貌的亚稳态CuInSe?纳米粒子的方法。粉末X射线衍射分析表明，这些纳米粒子的结构并非简单的六方纤锌矿型CuInSe?（空间群P63mc），暗示了有序超结构的形成。通过高分辨电子显微镜深入探究该结构特征，结果证实合成的CuInSe?纳米粒子内存在未报道过的化学有序排列。具体而言，虽然Se亚晶格以完美纤锌矿子晶胞形式排列，但Cu与In分离占据不同框架位置，形成低对称性畴区。这些畴区在六方Se亚结构中的排布通过形成大量平面缺陷（主要是孪晶和反相边界）来实现。作为半导体材料，该合成材料在0.95 eV处呈现直接光学跃迁，这与密度泛函理论计算评估的电子结构高度吻合。总体而言，这些发现可为设计合成具有独特化学有序排列的其他纳米粒子提供启发，从而为调控本征输运特性提供新途径。

    关键词： 六方板状形貌、硫属化合物、CuInSe?、直接光学跃迁、化学有序性、半导体纳米颗粒

    更新于2025-09-09 09:28:46