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低温碳热还原法制备SiC粉末
摘要： 通过球磨法制备稳定浆料，以一定比例的硅灰（硅源）、葡萄糖（碳源）和金属铌（Nb）（添加剂）与酒精水溶液混合。浆料干燥粉碎后，将粉末置于管式炉中，在氮气氛围下以5℃/min的升温速率加热至650℃保温2小时制得前驱体。采用碳热还原法对前驱体进行真空处理制备碳化硅（SiC）粉体。探究了温度及添加剂含量对合成碳化硅形貌的影响，以及杂质脱除顺序对产品纯度的影响。经1300℃、1400℃、1500℃煅烧2小时后检测到3C-SiC粉体，且随温度升高产物结晶性变好。当添加剂含量为硅灰质量的1%时，1500℃合成的碳化硅颗粒尺寸均匀、分散性更佳。关于杂质脱除顺序，先脱除SiO2再脱除C可有效去除产物中的杂质。
关键词： 金属铌、碳热还原、硅灰、葡萄糖、碳化硅粉末、低温
更新于2025-09-23 15:19:57
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二元改性剂协同改性碳化硅粉体的改性效果及机理研究
摘要： 采用二元改性剂——γ-巯丙基三甲氧基硅烷（KH590）和四甲基氢氧化铵（TMAH）对碳化硅进行共改性，制备出高分散性改性碳化硅粉体。以改性后碳化硅粉体制备浆料的粘度（重要参数）来考察改性效果。结果表明：当SiC粉体与0.4 wt% KH590和1.0 wt% TMAH反应2小时后，获得最低粘度0.52 Pa·s。同时，改性前后SiC粉体的Zeta电位绝对值分别为13 mV和42 mV，表明改性后碳化硅粉体具有高度分散性。此外，使用该改性碳化硅粉体制得了密度高达2.49 g/cm3的坯体。本文还阐释了KH590与TMAH共改性碳化硅粉体的分散机理。
关键词： 绿色坯体，碳化硅粉末，分散性，共改性，静电排斥
更新于2025-09-04 15:30:14