基于ZnO/NiO/Si异质结构、采用脉冲激光沉积法制备的磁双极晶体管

摘要： 氧化物半导体是下一代电子器件的有前途候选材料。本工作采用脉冲激光沉积技术在n型硅片上生长p-NiO和n-ZnO薄膜，并在670℃氧气环境下进行原位退火，制备了磁性双极晶体管。通过X射线衍射和拉曼光谱对这些薄膜进行结构表征，利用振动样品磁强计(VSM)研究其磁性能。采用共发射极配置直流偏置测试所制晶体管的I-V特性，通过传统晶体管输出特性确定结参数（如理想因子、串联电阻）及晶体管参数（如q点）。由于NiO中镍或氧空位的存在导致自旋极化双极输运，二极管和晶体管在外加磁场作用下电流增大。因此这些器件的电流放大可通过自旋控制，使其在自旋电子学应用中具有吸引力。