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oe1(光电查) - 科学论文

17 条数据
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  • 用于光电与时空混合神经形态集成的二维电双层光电晶体管

    摘要： 神经形态计算的硬件实现作为应对传统冯·诺依曼计算机瓶颈的有力候选方案，正受到日益增长的关注。然而，先前大多数研究仅通过电驱动或光驱动的单一模式模拟突触行为，这对同步处理自然光电信息构成重大挑战。本文报道了一种基于电双层（EDL）二硫化钼光电晶体管的多功能光电混合集成突触器件。值得注意的是，电驱动二硫化钼突触呈现增强滤波效应，而光驱动对应器件则能同时实现增强与抑制滤波效应。最重要的是，我们首次通过单个二硫化钼突触中光刺激与电刺激的协同作用，成功实现了光电融合与时空四维（4D）混合集成。为深入理解这种光电与时空4D混合耦合机制，我们提出了能带模型。这些成果可能为后摩尔时代的尺寸缩放与智能化发展，以及新兴神经形态纳米电子学中更精密的光电混合计算提供替代解决方案。

    关键词： 神经形态计算、双电层、突触器件、二硫化钼光电晶体管、光电混合集成

    更新于2025-11-25 10:30:42

  • 铱锰超薄膜中增强的有限尺寸效应和界面混合效应

    摘要： 反铁磁体的有限尺寸效应和温度依赖特性对各类自旋电子学与神经形态计算器件至关重要。本研究通过原子尺度模拟技术，对最重要的工业反铁磁材料之一——IrMn（包括有序L12相和无序γ相）进行了系统研究。我们发现：由于自旋阻挫效应的存在，反铁磁IrMn3薄膜的奈尔温度比同尺寸铁磁体表现出更强的有限尺寸依赖性；无序γ-IrMn3相在薄膜厚度小于1纳米时，其奈尔温度会急剧降至室温以下；当非磁性Cu覆盖层与IrMn3发生界面互混时，特定厚度下的奈尔温度会进一步降低，且该效应对无序γ-IrMn3相的影响显著强于有序L12-IrMn3相。结果表明：相比同尺寸铁磁体（特别是存在高度界面互混的溅射薄膜），工作在室温及以上的反铁磁器件需要采用更厚的反铁磁薄膜。

    关键词： 奈尔温度、反铁磁体、神经形态计算、IrMn（铱锰合金）、自旋电子器件、有限尺寸效应

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • [IEEE 2019年第11届图像与信号处理及分析国际研讨会（ISPA）- 克罗地亚杜布罗夫尼克（2019年9月23日-2019年9月25日）] 2019年第11届图像与信号处理及分析国际研讨会（ISPA）- 致谢

    摘要： 相变材料与器件作为实现各类非常规计算范式的一条潜在途径，受到了广泛关注。本文中，我们展示了利用相变存储器（PCM）单元累积特性的非冯·诺依曼算术处理方法。通过采用集成场效应晶体管访问器件的PCM单元，我们对基于累积的计算进行了详细研究。我们还演示了利用PCM单元进行高效因数分解的技术，该技术或将为大规模并行计算铺平道路。

    关键词： 神经形态计算，相变材料，非冯·诺依曼架构，算术计算

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE天线测量与应用会议(CAMA) - 印度尼西亚巴厘岛库塔(2019.10.23-2019.10.25)] 2019年IEEE天线测量与应用会议(CAMA) - 60GHz基片集成波导平衡器

    摘要： 相变材料与器件作为实现各类非常规计算范式的一条潜在途径，受到了广泛关注。在本研究中，我们展示了利用相变存储器（PCM）单元累积特性的非冯·诺依曼算术处理方法。通过采用集成场效应晶体管（FET）访问器件的PCM单元，我们对基于累积的计算进行了详细研究。我们还演示了利用PCM单元实现的高效因数分解技术，该技术或将为大规模并行计算铺平道路。

    关键词： 神经形态计算、非冯·诺依曼架构、相变材料、算术计算

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [IEEE 2019年传感器会议 - 加拿大魁北克省蒙特利尔 (2019.10.27-2019.10.30)] 2019年IEEE传感器会议 - 基于背照式锗硅光电探测器的2×2像素阵列相机

    摘要： 相变材料与器件作为实现各类非常规计算范式的重要途径备受关注。在本研究中，我们展示了利用相变存储器（PCM）单元累积特性的非冯·诺依曼算术处理方法。通过采用集成场效应晶体管访问器件的PCM单元，我们对基于累积的运算进行了深入研究。同时，我们还演示了利用PCM单元实现高效因数分解的技术，该技术或将为大规模并行计算开辟新途径。

    关键词： 神经形态计算、非冯·诺依曼架构、相变材料、算术计算

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [IEEE 2019年光子学前沿研讨会（WRAP）- 印度古瓦哈提（2019.12.13-2019.12.14）] 2019年光子学前沿研讨会（WRAP）- 基于矩量理论方法研究四高斯激光束在相对论等离子体中的自聚焦

    摘要： 相变材料与器件作为实现各类非常规计算范式的重要途径备受关注。本文提出利用相变存储器(PCM)单元的累积特性实现非冯·诺依曼算术运算。通过采用集成场效应晶体管(FET)访问器件的PCM单元，我们系统研究了基于累积的计算方法，并展示了利用PCM单元实现高效因数分解的技术——该技术有望为大规模并行计算开辟新途径。

    关键词： 神经形态计算、相变材料、非冯·诺依曼架构、算术计算

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 基于有机异质结的太阳能刺激光电突触，具有线性增强的突触权重，用于神经形态计算

    摘要： 我们报道了一种基于酞菁铜（CuPc）与对六联苯（p-6P）异质结结构的人工光电突触器件。该器件在连续光脉冲形成的长时程增强（LTP）特性曲线中展现出稳定的电导态及其线性分布特征。这种优异的突触特性源于每个光脉冲中迁移至CuPc沟道的光生空穴数量与被p-6P/介质界面捕获的光生电子数量保持恒定?；谡庑┕獾缤淮テ骷?，理论上构建了单层神经网络，并通过美国国家标准与技术研究院（MNIST）手写数字图像模式的训练/识别任务验证了其可行性。凭借卓越的LTP特性及单向更新方法，尽管采用单层网络架构，其最高识别率仍高达78%。本研究为未来实现复杂人工神经网络的光电突触器件研究奠定了基础。

    关键词： 太阳能刺激光电突触、神经形态计算、能带工程、模式识别、有机异质结

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 超越石墨烯的二维光子忆阻器：进展与展望

    摘要： 光子计算与神经形态计算正因突破传统冯·诺依曼架构的存储墙而备受关注。兼具光感测、数据存储与信息处理功能的新型光子忆阻器，是构建光学神经网络的重要基础元件。近年来，二维材料（2DMs）因其几何尺寸可扩展性优势，以及在宽光谱探测范围和丰富结构设计方面的独特应用潜力，成为光子忆阻器研究的热点方向。本文综述了石墨烯之外二维材料在光子忆阻器领域的最新研究进展，及其在光子突触与模式识别中的应用。通过分析不同材料体系与器件结构的光调谐存储特性及电阻开关机制，系统评述了器件性能与工作原理的分类研究现状。最后针对该快速发展的研究领域所面临的挑战，提出了实现商业化二维材料光子忆阻器的可行路径。

    关键词： 神经形态计算、光子突触、光子忆阻器

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 光诱导相变驱动的二硫化钼纳米片/量子点动态忆阻结构

    摘要： 具有0维量子点（QDs）插层的二硫化钼（MoS2）二维纳米片（NS）是构建低维（LD）阻变存储器件极具前景的结构?；诙牧系姆且资砸渥杵髡瓜殖龅凸挠氤呙芏忍匦?。本研究报道了在二维NS/0D QDs MoS2结构中观测到光诱导相变现象，该结构可提供动态阻变存储功能。通过电场可观察到MoS2 NS/QD结构的阻变切换效应，且能通过局域QD激发实现调控。对低维结构施加不同激光功率密度的光激发时，会产生可逆的MoS2 2H-1T相变，证实该低维结构在实现新型动态超快光阻变存储器方面的潜力。这种动态低维光忆阻结构凭借量子点提供的宽光谱灵敏度范围，在实时模式识别和人工神经网络光配置领域具有重要应用价值。

    关键词： 神经形态计算、光诱导相变、二维晶体与量子点、动态光忆阻器、液相剥离法

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 电流控制负微分电阻模式的起源及高复合特性复杂性的涌现

    摘要： 电流控制型负微分电阻作为类脑神经形态计算的基础构建单元具有重大潜力。然而由于对其作用机制和设计准则缺乏共识，要实现实际应用中至关重要的理想负微分电阻特性仍具挑战性。本研究报道了一种与材料无关的电流控制型负微分电阻模型，该模型通过明确考虑氧化膜中的非均匀电流分布及其对器件等效电路的影响（而非特定材料的相变过程），成功解释了包括多种过渡金属氧化物中观察到的不连续回滞响应在内的广泛特性。通过将模型预测与实验观测对比表明：连续S型与不连续回滞特性可作为构建更高复杂度复合行为的基础模块。最后，我们展示了该方法在预测和设计具有新型功能的非常规复合行为方面的潜力，这些功能可应用于新兴电子器件和神经形态计算领域。

    关键词： 负微分电阻、神经形态计算、阈值开关、非线性输运、纳米电子学

    更新于2025-09-19 17:13:59