ReS?/Si光阴极的离子束缺陷工程显著增强析氢反应

摘要： 将二维层状过渡金属二硫化物（TMDs）负载于p型硅光阴极上，适用于太阳能驱动的光电化学（PEC）水分解制氢。类似地，多种暴露更多活性位点的纳米结构TMDs被广泛研究以提升复合光阴极的PEC性能。本研究在ReS2/Si光阴极上采用可控氩离子束轰击进行缺陷工程调控，在二维ReS2中引入原子空位缺陷以实现高密度活性位点，显著增强了ReS2/Si光阴极的太阳能驱动析氢反应性能。在模拟太阳光照射下，该光阴极实现了18.5 mA cm?2的最高光电流密度（相对于可逆氢电极0 V）。