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通过关联原子探针断层扫描与离轴电子全息术对GaN中Mg掺杂分布及电活性的三维测量
摘要： 通过关联原子探针断层扫描（APT）和离轴电子全息术，研究了金属有机化学气相沉积法生长的氮化镓（GaN）中p型掺杂剂（镁）的分布与电学活性。APT结果显示高镁浓度会促进富镁团簇形成，这与锥形反型畴（PID）的产生相关。APT提供的团簇外直接掺杂浓度测量表明，当镁浓度超过7×101? cm?3时p型电学活性出现饱和。离轴电子全息术获得的静电势分布图证实：尽管APT检测到高密度富镁团簇存在，但最高载流子浓度仍出现在掺杂浓度为2×102? cm?3的区域。这些技术的关联分析表明，PID并非导致静电势降低的主要原因。
关键词： 镁掺杂、氮化镓、原子探针断层扫描、电活性、离轴电子全息术
更新于2025-09-23 15:19:57
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2016年欧洲显微镜学大会：会议录 || 利用原位偏压和离轴电子全息术对氧化锌纳米线中的掺杂和表面电荷进行定量测量
摘要： 利用原位偏压和离轴电子全息术测量Zn2N3纳米线中的掺杂与表面电荷
关键词： 表面电荷，原位偏置，离轴电子全息术，Zn2N3纳米线，掺杂
更新于2025-09-11 14:15:04