[IEEE 2018国际微波与毫米波技术会议（ICMMT）- 中国成都（2018年5月7日-2018年5月11日）] 2018年国际微波与毫米波技术会议（ICMMT）- 无序有机半导体的塞贝克系数

摘要： 塞贝克系数用于描述载流子输运过程，且对态密度形状敏感。但目前有机半导体的态密度尚不明确。部分研究倾向于采用高斯型或指数型态密度。本文提出一种在相同位置具有明确截断尾部的指数型态密度。基于Miller-Abrahams跳跃模型，我们计算了不同温度下初始能量与逃逸能量的变化，分析了电导率对塞贝克系数的依赖关系，并通过特定位置截断尾部的指数型态密度（EC DOS）比较了不同温度下无序度(δ)和能量无序对塞贝克系数的影响。