基于AlGaN的UV-B LED的稳定性与降解：掺杂与半导体缺陷的作用

摘要： 本文对恒定电流应力下紫外B波段发光二极管（LED）的退化现象进行了深入分析。研究基于电学、光学与光谱联合表征以及电容深能级瞬态谱（C-DLTS）技术。分析结果表明：低测量电流水平下光功率衰减更为显著，说明退化过程与肖克利-里德-霍尔（SRH）复合增强相关；电学表征显示驱动电压降低（可能源于镁掺杂剂激活度提升），同时亚阈值正向电流增大（表明应力过程中产生了带隙中间态）。通过C-DLTS测量研究了应力后缺陷浓度变化，主要陷阱被归因于镁掺杂效应和/或氮化镓生长相关的本征缺陷。