研究目的
为分析半导体缺陷在AlGaN基UV-B LED退化中的作用,通过结合光学、电学和光谱测量研究电流应力的影响,利用DLTS分析探究缺陷的物理成因,并建立这两者之间的关联。
研究成果
基于AlGaN的深紫外LED性能退化与应力过程中非辐射复合增强及带隙中间态的产生有关。应力后出现的新峰"e3"(归因于点缺陷和/或本征缺陷)是关键发现。驱动电压降低可能源于Mg掺杂剂激活度提高。
研究不足
该研究聚焦于恒定电流应力下的退化机制,但其他应力条件或环境因素也可能影响LED的可靠性。
研究目的
为分析半导体缺陷在AlGaN基UV-B LED退化中的作用,通过结合光学、电学和光谱测量研究电流应力的影响,利用DLTS分析探究缺陷的物理成因,并建立这两者之间的关联。
研究成果
基于AlGaN的深紫外LED性能退化与应力过程中非辐射复合增强及带隙中间态的产生有关。应力后出现的新峰"e3"(归因于点缺陷和/或本征缺陷)是关键发现。驱动电压降低可能源于Mg掺杂剂激活度提高。
研究不足
该研究聚焦于恒定电流应力下的退化机制,但其他应力条件或环境因素也可能影响LED的可靠性。
加载中....
您正在对论文“基于AlGaN的UV-B LED的稳定性与降解:掺杂与半导体缺陷的作用”进行纠错
纠错内容
联系方式(选填)
称呼
电话
单位名称
用途
期望交货周期
称呼
电话
单位名称
用途
期望交货周期