脉冲激光沉积纳米级CeNi5薄膜的介电性能

摘要： 采用复介电函数描述了玻璃或SiO2基底上脉冲激光沉积纳米级CeNi5合金层的介电特性。分别研究了该函数在紫外-可见-近红外光谱范围内实部ε1（介电常数或介电系数）与虚部ε2（介电损耗函数）的行为特征。这些纳米合金层是通过短调制激光脉冲从研磨的CeNi5块体粉末制备获得。使用液氮冷却稳定的氦氖激光器在632.8 nm波长下测量了所得纳米合金层的绝对反射率，并据此对紫外-可见-近红外波段相对微分反射光谱测量结果进行重新归一化处理。通过克拉默斯-克勒尼希理论处理获得的绝对反射光谱，从而计算出复介电函数的实部与虚部，并进一步推导出电子损耗函数-Im ε?1和-Im(1 + ε)?1。结合相关理论分析确定了这些函数在光谱拐点附近的行为特征，由此阐释了介电函数的变化规律并推断了电子态密度与能带结构形态。本研究表明所制备纳米级CeNi5结构的光学与电学性质具有层厚及沉积基底的依赖性。