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卤素空位助力配体辅助自组装：钙钛矿量子点形成纳米线
摘要： 鉴于卤化物钙钛矿的缺陷与其关键材料光电性质密切相关，相关研究兴趣日益增长。在钙钛矿量子点（PQDs）中，缺陷的影响比其块体材料更为显著。通过结合实验与理论，我们报道了CsPbBr3 PQDs的卤素空位驱动、配体导向自组装过程。在油酸和双十二烷基二甲基硫代铵的辅助下，富含表面溴空位的CsPbBr3 PQDs自组装成宽度为20-60纳米、长度达数毫米的纳米线（NWs）。这些纳米线展现出尖锐的光致发光谱（半高宽约18纳米），峰值位于525纳米。我们的发现为理解PQDs的缺陷相关动力学及钙钛矿材料与器件的缺陷辅助制备提供了新见解。
关键词： 自组装、钙钛矿量子点、卤素空位、纳米线、CsPbBr3
更新于2025-09-19 17:13:59
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通过配体辅助再沉淀策略合成的超长CH?NH?PbI?纳米线用于高性能光电探测器
摘要： 具有明确结构的有机-无机杂化钙钛矿纳米线在光电子应用领域备受关注。然而实际光电器件中集成钙钛矿纳米线常受限于其较差的结晶质量。本研究采用配体辅助再沉淀策略（LARP）实现了大面积超长独立CH3NH3PbI3纳米线的可控制备。通过引入油胺作为抑制剂，在CH3NH3PbI3表面形成钝化层以减缓其结晶速率，从而在低结晶速率条件下实现了数毫米长、表面光滑的高质量CH3NH3PbI3纳米线的大规模合成。基于油胺辅助合成的CH3NH3PbI3纳米线制备的光电探测器展现出优异的探测性能，其探测率较未使用油胺辅助合成的CH3NH3PbI3纳米线光阳极提高了五倍。
关键词： 有机-无机杂化钙钛矿、光电探测器、纳米线、配体辅助再沉淀策略、光电子应用、油胺
更新于2025-09-19 17:13:59
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基于镓铟双金属氧化物纳米线的深紫外光电探测器具有超高响应度（>12.34 kA/W）
摘要： 本工作展示了双金属氧化物纳米线（NWs）在深紫外光电探测器中的应用。采用低成本且可规?；木驳绶乃糠ㄖ票噶孙仡骰擅紫?，其制备流程包括：通过静电纺丝在清洁的石英基底上合成纳米线，随后在纳米线薄膜表面沉积铝（100纳米）/金（20纳米）电极。得益于极高的比表面积、高孔隙率、光子捕获效应以及正反双向光照特性，该双金属光电探测器在1伏偏压下实现了创纪录的超高性能——响应度达~12348 A/W，光电暗电流比高达~298846。该器件还展现出优异的探测率~3.27×101? mHz?·?W?1及外量子效率~7.73×10?%。
关键词： GaInO3、纳米线、双金属、超高响应度、紫外光电探测器、静电纺丝
更新于2025-09-19 17:13:59
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覆盖多根金纳米线的凹形光纤折射率传感器灵敏度增强
摘要： 本文提出并数值优化了一种利用局域表面等离子体共振(LSPR)的新型凹形折射率传感器(CSRIS)。该传感器通过设计中极化子与芯层导模之间的LSPR效应来增强传感性能。研究分别针对镀金(Au)薄膜和金纳米线(AuNWs)的两种传感结构进行表征，分析了凹形通道(CSC)与纤芯间距(D)、纳米线直径(dn)及CSC尺寸(s)等结构参数的影响。结果表明：相比金薄膜，金纳米线能显著提升传感器灵敏度与性能——当分析物折射率(na)在1.33至1.38宽范围内变化时，金纳米线结构可获得4471 nm/RIU的超高灵敏度；而传统金薄膜结构在相同折射率范围内的灵敏度仅为808.57 nm/RIU。
关键词： 纳米线、微流控通道、表面等离子体共振、灵敏度、折射率
更新于2025-09-16 10:30:52
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自组装ZnO分级微纳结构的偏晶生长演化与拉曼散射
摘要： 具有几何复杂性和/或组分多样性的自组装分级微纳结构正成为下一代纳米技术中极具前景的候选材料。不同于传统气-液-固（VLS）共晶液滴制备一维（1D）纳米线的方法，本研究采用锌-铋VLS偏晶液滴构建三维分级微纳结构中的1D、2D及3D氧化锌。所得微纳结构具有明确的自组装特征，这在传统共晶合金中尚未被观测到。偏晶液滴与非热平衡态的协同作用促成了氧化锌分级微纳结构的演化。拉曼光谱显示，与未掺杂氧化锌纳米线相比，E2H和E1L模分别向高频端移动3.7和2 cm?1，而519.5 cm?1处的新增峰对应Bi38OZn60相。结果表明三维氧化锌微纳结构具有体相声子特性。本文提出的偏晶液滴方法为构建具有多功能耦合与交互作用的实用技术平台分级纳米结构提供了新途径。
关键词： 纳米线、生长机制、纳米制造、纳米结构、拉曼散射
更新于2025-09-16 10:30:52
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基于InGaZnO超晶格纳米线阵列的高性能透明紫外光电探测器
摘要： 由于其独特的能带结构带来的高效光生载流子分离与收集特性，超晶格纳米线（NWs）作为高性能光电器件的活性材料具有巨大潜力。本研究通过常压化学气相沉积（CVD）法制备出具有超晶格结构且化学计量比可控的InGaZnO纳米线。沿纳米线轴向方向可观察到InGaO(ZnO)4+块体与InO2-层完美交替堆叠形成的周期性层状结构。值得注意的是，当配置为独立纳米线光电探测器时，镓浓度被发现会显著影响纳米线表面吸附的氧空位和氧分子数量，这些因素直接决定了纳米线通道的光电导特性?；谟呕嘏ǘ龋碔n1.8Ga1.8Zn2.4O7）的独立纳米线器件展现出卓越性能：紫外（UV）探测时响应度达1.95×105 A/W，外量子效率高达9.28×107%，上升时间为0.93秒，衰减时间为0.2秒。此外，所得纳米线还能在玻璃衬底上制备成大规模平行阵列，实现全透明紫外光电探测器，其性能达到甚至优于许多高性能透明探测器。上述所有结果均表明InGaZnO超晶格纳米线在下一代先进光电器件中具有重要应用前景。
关键词： 超晶格、铟镓锌氧、纳米线、透明、紫外光电探测器
更新于2025-09-16 10:30:52
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含等离激元银的五氧化二钒纳米带束的简易合成与表征及其在可见光照射下的光电化学水分解应用
摘要： 采用商用五氧化二钒粉末，通过简便的室温水溶液法合成了五氧化二钒纳米带束（NBB）光阳极。该V2O5 NBB长度为数微米、宽度15-25纳米，具有正交晶系V2O5结构，晶粒尺寸63纳米，光学带隙2.19电子伏特。含等离子体Ag的V2O5 NBB比纯V2O5 NBB展现出显著更低的电荷转移电阻。当在0.1 M KOH电解液中添加10%甲醇作为空穴捕获剂时，电荷转移电阻进一步降至21.02欧姆。在0.1 M KOH中测试V2O5与V2O5/Ag光阳极的水分解活性时，可见光照射下仅观测到0.5微安/平方厘米的极低光电流密度，该低光电流源于光生空穴在光电极/水系电解液界面的累积。添加甲醇后V2O5 NBB光电极的光电流显著提升——含等离子体Ag的V2O5 NBB在KOH与甲醇混合体系中，光照230秒内获得最高0.2毫安/平方厘米的光电流密度，较未添加空穴捕获剂的光阳极提升400倍。
关键词： 水系电解质、纳米线、空穴清除剂、银等离子体、水分解活性
更新于2025-09-16 10:30:52
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通过纳米尺度结区的热迁移实现单晶金属纳米线的可控生长
摘要： 由温度梯度驱动的质量输运在流体中十分常见。然而我们在此展示：当将冷纳米针尖从热固体基底上拉离时，热迁移现象会极其剧烈，以至于可被用于制备单晶铝、铜、银和锡纳米线。这表明在纳米尺度物体中，固体能凭借短距离内的快速表面扩散，在形态快速变化方面模拟液体特性。在均匀生长过程中，热端与冷端之间通常会形成含有晶界（GB）的细颈状连接体，该连接体维持着极高的温度梯度——若非受到晶界内相对迟缓的镀覆过程及其产生的背应力的抵消，这种梯度本应驱动更大的质量通量。这种含晶界的连接体具有极强鲁棒性，能适应不同拉伸方向和速度，从而以类似直拉法晶体生长的方式为纳米线生长提供良好可控性。
关键词： 单晶、表面扩散、纳米线、晶界、热迁移
更新于2025-09-16 10:30:52
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硅基上Ga2O3纳米线的生长及其紫外光电探测器应用
摘要： 我们研究了银催化剂对增强氧化镓（Ga2O3）纳米线生长的影响。通过高温（约1000°C）热氧化技术，在作为催化层的薄银膜存在条件下，成功实现了P+型硅（100）衬底上Ga2O3纳米线的生长。我们展示了这些Ga2O3纳米线的形貌、成分及电学特性表征结果，包括光电导和瞬态时间的测量数据。结果表明：高度取向、致密且细长的Ga2O3纳米线可直接生长在硅表面。具有本征n型特性的Ga2O3纳米线在硅衬底上生长时形成了pn异质结，该异质结展现出整流特性和优异的紫外光响应性能。
关键词： 电导率、纳米线、β-氧化镓、氧化、银催化剂、光电探测器
更新于2025-09-12 10:27:22
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纳米线量子点表面工程实现高温单光子发射
摘要： 在高温下产生单光子仍是一项重大挑战，特别是对于广泛用于光通信的III-As和III-P材料。在此，我们报道了一种基于GaAsP纳米线中"无表面"GaAs量子点的高温单光子发射器。通过采用自催化气-液-固生长法和简单的表面工程，我们能显著增强量子点的光学信号，在750纳米波长处获得高度偏振的光致发光。这种"无表面"纳米线量子点在160K温度下仍呈现光子反聚束效应，在220K高温下仍能分辨出清晰的激子谱线。
关键词： 表面工程、光子反聚束、量子点、单光子源、纳米线
更新于2025-09-12 10:27:22