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oe1(光电查) - 科学论文

131 条数据
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  • 量子点-纳米线单光子源设计：抗热机械退相干特性

    摘要： 嵌入单量子点（QD）的纳米线天线最近已成为实现明亮量子光源的多功能平台。本理论研究表明，纳米线热驱动的低频振动对量子点发光光谱具有重大影响。即使在液氦温度下，这些振动仍会阻碍不可区分光子的发射。为克服这一固有局限，我们提出三种设计方案——通过特定调控纳米线的机械特性来恢复光子不可区分性。我们预计，此类机械优化对于基于纳米结构的其他高性能光-物质界面开发也将发挥关键作用。

    关键词： 单光子源、光子不可区分性、量子点、纳米线、热机械退相干

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 硒化铋(Bi2Se3)层与纳米线在Stranski-Krastanov型砷化铟量子点上的生长习性

    摘要： 在GaAs衬底上不同尺寸和密度的自组装Stranski-Krastanov InAs量子点上，通过分子束外延生长了硒化铋层和纳米线。通过改变生长速率和组分调控了InAs量子点的尺寸与密度。采用高分辨X射线衍射、扫描探针显微镜、能量色散X射线光谱和高分辨电子显微镜研究了Bi2Se3层的结构与生长习性。观察到(0001)晶向Bi2Se3连续层在平整InAs表面上的外延生长。相比之下，InAs量子点的存在促使主要沿[01-1]和[0-1-1]方向生长的100纳米长、20纳米宽的Bi2Se3纳米线形成。当生长持续进行时，这些纳米线会融合成完整层状结构。深入理解并控制Bi2Se3在这些表面上的生长习性，将有助于制备具有增强物理特性的新型纳米结构。

    关键词： 砷化铟量子点、Bi2Se3、纳米线、拓扑绝缘体、硒化铋、分子束外延

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 通过银辅助化学蚀刻制备的低反射率分级纹理硅，有望应用于太阳能电池

    摘要： 本研究报道了在微纹理硅基底上制备硅纳米线的方法。采用银辅助无电化学蚀刻工艺制备纳米线，并通过扫描电子显微镜研究了氢氟酸浓度对形成动力学的影响。这种分级二元结构能将宽光谱范围（300-1100 nm）的太阳加权反射率（SWR）从抛光硅的无涂层状态（38%）降至<3%。实现如此低的反射率仅需<1 μm长度的纳米线。研究发现，在较低氢氟酸浓度下，纳米线优先沿<100>晶向生长；而随着浓度升高，在相同尺寸的微金字塔上同时发生<100>和非<100>（如<111>）晶向的蚀刻，最终形成三维微金字塔表面带有倾斜硅纳米线的二元结构。

    关键词： 纳米线、微金字塔、化学蚀刻、反射率、硅纳米线

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 电调谐纳米线量子点发射体的关联电光与结构研究

    摘要： 嵌入半导体纳米线中的量子点，是制备单光子器件的理想平台。要全面理解这些对象的物理特性，需要将同一纳米结构的光学、电学和结构特性相互关联。本研究通过施加外偏压，探究了氮化镓纳米线中单量子点发光的光谱可调性。我们将纳米线分散并接触在电子束透明的氮化硅薄膜上，从而能在同一样品上同步进行透射电镜观测、光电流测量及偏压条件下的微区光致发光测试。当外电场补偿或增强由自发极化与压电极化产生的内建电场时，单量子点的发射光谱会出现蓝移或红移现象。通过对两个分别发射327.5纳米和307.5纳米波长的纳米线样本进行详细研究，发现其光谱偏移速率分别为20毫电子伏特/伏特和12毫电子伏特/伏特?；诰芬熘式峁菇５睦砺奂扑?，很好地解释了实验观测结果。当偏压诱导的能带弯曲足够强，促使量子点中的电子向纳米线主干或顶端隧穿时，光谱偏移达到饱和，并可观察到与带电激子相关的附加跃迁。

    关键词： 氮化镓、量子点、量子限制斯塔克效应、微区光致发光、异质结构、纳米线

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 2016年欧洲显微镜学大会：会议录 || 基于有序InGaN纳米柱发光二极管的分析电子显微镜表征

    摘要： 由InGaN/GaN盘状结构自组装形成的纳米柱（NCs）为传统平面发光二极管（LED）器件提供了替代方案[1]。然而，单个纳米LED间电学特性的显著离散性制约了其效率与可靠性。由于InGaN合金固有的成分波动倾向会随生长晶面极性变化而产生不均匀分布，导致其呈现多色发光现象[2]。近期分子束外延技术实现的纳米柱选择性区域生长，已能制备出具有更高结晶质量且铟分布可控性更强的高度均匀GaN/InGaN纳米柱[3]。本研究展示了基于有序InGaN活性盘状结构纳米柱LED的表征结果（图1）。通过校正像差的JEOL-JEM-ARM200扫描透射电子显微镜（STEM）进行纳米结构精细表征：原子级分辨的高角环形暗?。℉AADF）图像分析证实了纳米柱的高结晶质量；能谱（EDS）元素面扫描揭示了InGaN盘内铟分布；环形明?。ˋBF）图像中氮原子柱定位则追踪了半导体纳米柱的极性（图2）。利用FEI STEM Tecnai F20低温阴极荧光（CL）光谱技术，实现了纳米尺度上光学特性与结构特性的直接关联[4]。

    关键词： 纳米线、能量色散X射线光谱（EDS）、环形明场成像、氮化铟镓（InGaN）、发光二极管（LEDs）、原子级分辨率扫描透射电子显微镜（STEM）

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 具有高性能的纳米等离子体一维金刚石紫外光电探测器

    摘要： 金刚石纳米线因其独特的物理化学性质，在电化学传感器、光电子学和纳米光子学应用领域近期备受关注。然而基于金刚石纳米线的紫外光电探测器尚未见报道，这既源于合成具有可控形貌的晶体金刚石纳米线存在技术挑战，更根本的原因在于该材料高载流子浓度与低迁移率的特性限制了可实现的响应率。通过将超纳米晶金刚石(UNCD)纳米线与贵金属纳米颗粒的纳米等离子体增强效应协同整合，为克服这些缺陷提供了极具前景的解决方案。本研究报道了硼掺杂超纳米晶金刚石纳米线负载铂纳米颗粒的制备工艺，由此构建的自供电紫外光电探测器在零偏压条件下展现出300纳米波长处388安培/瓦特的超高响应率、约20毫秒的快速响应时间，以及五个数量级以上的优异紫外/可见光抑制比。

    关键词： 紫外光电探测器、纳米线、金属纳米粒子、超纳米晶金刚石、纳米等离子体学

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 卤素空位助力配体辅助自组装：钙钛矿量子点形成纳米线

    摘要： 鉴于卤化物钙钛矿缺陷与其关键材料光电性质密切相关，相关研究兴趣日益增长。在钙钛矿量子点（PQDs）中，缺陷的影响比其块体材料更为显著。通过结合实验与理论，我们报道了CsPbBr3 PQDs中由卤素空位驱动、配体导向的自组装过程。在油酸和十二烷基二甲基硫化铵的辅助下，富含表面溴空位的CsPbBr3 PQDs自组装成宽度为20-60纳米、长度达数毫米的纳米线（NWs）。这些纳米线呈现尖锐的光致发光谱（半高宽约18纳米），峰值位于525纳米。我们的发现揭示了PQDs中缺陷相关的动力学机制，以及缺陷辅助的钙钛矿材料与器件制备原理。

    关键词： CsPbBr3、自组装、卤素空位、纳米线、钙钛矿量子点

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 基于一维纳米结构的柔性光电探测器研究新进展

    摘要： 半导体纳米线展现出优异的电子和光电子特性。当集成于光电探测器时，能轻松实现卓越的器件性能。除卓越性能外，这些纳米线还能制成坚固且机械柔性的光电探测器，适用于刚性器件无法实现的多种先进应用场景，包括个人医疗保健、下一代机器人技术等诸多领域。本综述首先探讨纳米线制备技术及构建大规模纳米线阵列的组装方法，随后详细评估基于不同纳米线材料体系的柔性探测器最新进展，同时介绍近期实现单个探测器集成至更复杂系统以支持高级部署的相关突破，最后简要总结并展望该领域未来面临的挑战。

    关键词： 光电探测器、柔性、纳米线

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • [2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 德国慕尼黑（2019.6.23-2019.6.27）] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 手征超表面堆叠的半解析建模

    摘要： 超表面能够通过其组成亚波长结构或粒子的几何形状、材料、分布及排列方式，自由设计各向异性偏振态。最新研究表明，多层超表面无需手性粒子或近场诱导的双各向异性即可呈现手性偏振响应。这类堆叠超表面仅在远场发生模式耦合，且整体系统具有几何手性——尽管其组成部件本身并不具备。本研究采用半解析方法，建立了由两个旋转晶胞的纳米线基超表面通过间隔层堆叠而成的手性超表面堆模型?；谥票秆氛箍致郏颐遣土似淦裣煊Φ钠鹪?，并揭示了间隔层在连接两个超表面时所起的作用。

    关键词： 手性超表面、间隔层、半解析建模、纳米线、偏振响应

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 无催化剂气-固沉积法生长β-Ga?O?纳米线用于深紫外光电探测器及图像传感器应用

    摘要： 太阳盲区深紫外（DUV）波段（200-280纳米）的光电探测技术因其军事和民用领域的诸多关键应用而备受关注。本研究开发了一种无催化剂条件下通过气-固合成法制备单晶β-Ga2O3纳米线的技术。由该纳米线制成的光电探测器对265纳米DUV光照具有高度敏感性，展现出优异的光响应性能：光暗电流比、响应度、比探测率和响应速度等性能参数分别可达≈103、≈233 A W?1、≈8.16×1012 Jones和0.48/0.04秒。此外，该探测器在≈290纳米处具有陡峭的响应截止波长，其DUV/可见光（250-405纳米）抑制比超过102。研究发现该器件在200伏高偏压下仍能正常工作，此时响应度可提升至≈1680 A W?1。这种基于纳米线的光电探测器还能作为具有合理空间分辨率的DUV光图像传感器。凭借上述优势，本研究所开发的基于无催化剂生长β-Ga2O3纳米线的DUV光电探测器，在未来DUV光电子领域具有重要应用前景。

    关键词： DUV光电探测器、无催化剂生长、纳米线、图像传感器、β-氧化镓

    更新于2025-09-11 14:15:04